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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TXB-1N5476C
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 100pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-7 | TXB-1N5476C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TXB-1N5148
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 47pF C(T), 60V, Silicon, Abrupt, DO-7 | TXB-1N5148 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TXB-1N5448A
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 22pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-7 | TXB-1N5448A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TXB-1N4801A
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 6.8pF C(T), 110V, Silicon, Abrupt, DO-14 | TXB-1N4801A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TXB-1N5456A
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 100pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-7 | TXB-1N5456A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TXB-1N4807A
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 22pF C(T), 99V, Silicon, Abrupt, DO-14 | TXB-1N4807A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TXB-1N5446B
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 18pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-7 | TXB-1N5446B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TXB-1N5475A
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 82pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-7 | TXB-1N5475A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TXB-1N5443C
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 10pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-7 | TXB-1N5443C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TXB-1N5468
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 22pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-7 | TXB-1N5468 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TXB-1N5462B
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 8.2pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-7 | TXB-1N5462B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TXB-1N5466
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 18pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-7 | TXB-1N5466 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TXB-1N5450A
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 33pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-7 | TXB-1N5450A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TXB-1N5474C
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 68pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-7 | TXB-1N5474C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TXB-1N5452A
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 47pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-7 | TXB-1N5452A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TXB-1N5139
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 6.8pF C(T), 60V, Silicon, Abrupt, DO-7 | TXB-1N5139 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TXB-1N5451
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 39pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-7 | TXB-1N5451 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TXB-1N4801D
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 6.8pF C(T), 110V, Silicon, Abrupt, DO-14 | TXB-1N4801D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TXB-1N5450C
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 33pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-7 | TXB-1N5450C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TXB-1N5450B
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 33pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-7 | TXB-1N5450B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TXB-1N5452
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 47pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-7 | TXB-1N5452 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TXB-1N5470
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 33pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-7 | TXB-1N5470 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TXB-1N5441C
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 6.8pF C(T), 30V, Silicon, Abrupt, DO-7 | TXB-1N5441C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TXB-1N4807
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 22pF C(T), 99V, Silicon, Abrupt, DO-14 | TXB-1N4807 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TXB-1N4806A
Lockheed Martin Microwave
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1 | Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to Ultra High Frequency, 18pF C(T), 99V, Silicon, Abrupt, DO-14 | TXB-1N4806A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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