Showing 25 of 164 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2301L-AL3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT2301L-AL3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2309G-H-AE2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 30V, 0.075ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-236 | UT2309G-H-AE2-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2305AG-K06B-2020-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | UT2305AG-K06B-2020-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2306L-3.3V(SOP-8)
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Management Circuit | UT2306L-3.3V(SOP-8) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2301-AE3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 20V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT2301-AE3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2305L-H-AE2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | UT2305L-H-AE2-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2306L-AE3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT2306L-AE3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2302L-AE2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236 | UT2302L-AE2-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2306L(SOP-8)
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Management Circuit | UT2306L(SOP-8) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2301L-AE2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236 | UT2301L-AE2-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2309AL-AE3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 30V, 0.075ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT2309AL-AE3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2306-AE3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | UT2306-AE3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2309G-H-AE3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 30V, 0.075ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | UT2309G-H-AE3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2309L-H-AE2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 30V, 0.075ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-236 | UT2309L-H-AE2-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2309L-H-AE3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 30V, 0.075ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | UT2309L-H-AE3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2306L-5.0V(SOP-8)
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Management Circuit | UT2306L-5.0V(SOP-8) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2301ZL-AE3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 20V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT2301ZL-AE3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2302L-AE3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT2302L-AE3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2308-AE3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | UT2308-AE3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2304G-AE3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 30V, 0.117ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT2304G-AE3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2305G-LV-AE2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | UT2305G-LV-AE2-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2301G-AL3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UT2301G-AL3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2308G-AE2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 20V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236 | UT2308G-AE2-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2305G-H-AE2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | UT2305G-H-AE2-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UT2306L-5.0V(DIP-8)
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Management Circuit | UT2306L-5.0V(DIP-8) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||