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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT130N06ML-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0072ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UTT130N06ML-TF1-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT130N06ML-TQ2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0072ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | UTT130N06ML-TQ2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT130N06MG-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | UTT130N06MG-TN3-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT130N06MG-TQ2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0072ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | UTT130N06MG-TQ2-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT130N06MG-T3P-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0072ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UTT130N06MG-T3P-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT130N06MG-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | UTT130N06MG-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT130N06MG-S08-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UTT130N06MG-S08-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT13P04G-H-S08-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 40V, 0.017ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UTT13P04G-H-S08-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT130N06ML-TQ2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0072ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | UTT130N06ML-TQ2-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT130N06MG-TQ2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0072ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | UTT130N06MG-TQ2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT130N06MG-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0072ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UTT130N06MG-TF2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT130N06ML-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | UTT130N06ML-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT130N06ML-T3P-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0072ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UTT130N06ML-T3P-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT130N06ML-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0072ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UTT130N06ML-TA3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT130N06MG-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0072ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UTT130N06MG-TF1-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT130N06MG-K08-5060-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UTT130N06MG-K08-5060-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT13P04L-H-S08-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 40V, 0.017ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UTT13P04L-H-S08-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT130N06ML-S08-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 60V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UTT130N06ML-S08-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT13N20HG-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 200V, 0.235ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-251 | UTT13N20HG-TM3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT130N06MG-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 60V, 0.0072ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UTT130N06MG-TA3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT130N06ML-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0072ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UTT130N06ML-TF2-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT130N06ML-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | UTT130N06ML-TM3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT13N20HL-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 200V, 0.235ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-251 | UTT13N20HL-TM3-T |
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ABUTT130A3
Schurter Electronic Components
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1 | Thermal Circuit Breaker, 2 Pole(s), 13A, 230VAC, Panel Mount | ABUTT130A3 |
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AUUTT130Z4
Schurter Electronic Components
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1 | Thermal Circuit Breaker, 2 Pole(s), 13A, 120VAC, Panel Mount | AUUTT130Z4 |
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