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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT15P06L-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.09ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UTT15P06L-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT15P06L-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.09ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UTT15P06L-TA3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT15N10MG-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.203ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-252 | UTT15N10MG-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT15N10ML-Q-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.203ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UTT15N10ML-Q-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT15N10G-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | UTT15N10G-TN3-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT15P06G-TN3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, P-Channel | UTT15P06G-TN3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT15N10L-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | UTT15N10L-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT15P10G-AA3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UTT15P10G-AA3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT15N06G-S08-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UTT15N06G-S08-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT15N15HL-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 150V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-252 | UTT15N15HL-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT15N15HG-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 150V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-252 | UTT15N15HG-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT150N06HL-TQ2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 150A I(D), 60V, 0.0038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-263AB | UTT150N06HL-TQ2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT15NN06L-S015-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.053ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UTT15NN06L-S015-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT15N10ML-Q-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.203ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251 | UTT15N10ML-Q-TM3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT15N10ML-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.203ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-252 | UTT15N10ML-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT15N10MG-Q-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.203ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UTT15N10MG-Q-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT15P06G-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.09ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UTT15P06G-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT15P06G-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.09ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UTT15P06G-TF3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT15P10L-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UTT15P10L-TA3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT150N03G-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 150A I(D), 30V, 0.0046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UTT150N03G-TA3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT15N10MG-Q-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.203ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | UTT15N10MG-Q-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT15N06L-S08-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UTT15N06L-S08-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT15N06G-TQ2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | UTT15N06G-TQ2-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT15P06G-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.09ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | UTT15P06G-TN3-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT15N10ML-Q-TF2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.203ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UTT15N10ML-Q-TF2-T |
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