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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT60N06L-TQ2-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | UTT60N06L-TQ2-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT60N10L-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 100V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UTT60N10L-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT60N10MG-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-252 | UTT60N10MG-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT60N10ML-TN3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-252 | UTT60N10ML-TN3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT60N08HL-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 80V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UTT60N08HL-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT60N06L-TN3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | UTT60N06L-TN3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT60N10ML-T47-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-247 | UTT60N10ML-T47-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT60N10L-S08-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | UTT60N10L-S08-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT60N06G-K08-5060-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UTT60N06G-K08-5060-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT60N10L-TF1-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | UTT60N10L-TF1-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT60N10MG-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-251 | UTT60N10MG-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT60N10G-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 100V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | UTT60N10G-TA3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT60N10MG-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-220AB | UTT60N10MG-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT60N10L-K08-5060-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 100V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UTT60N10L-K08-5060-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT60N10ML-TF3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-220AB | UTT60N10ML-TF3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT60N10MG-K08-5060-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | UTT60N10MG-K08-5060-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT60N06L-TQ2-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | UTT60N06L-TQ2-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT60N10ML-TM3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, TO-251 | UTT60N10ML-TM3-T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT60N10ML-K08-5060-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | UTT60N10ML-K08-5060-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT60N10L-TN3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 100V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | UTT60N10L-TN3-T |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT60N10MG-S08-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | UTT60N10MG-S08-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT60N10G-K08-5060-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 100V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UTT60N10G-K08-5060-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT60N10ML-S08-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET | UTT60N10ML-S08-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UTT60N05L-TA3-T
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Transistor | UTT60N05L-TA3-T |
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UTT60N06L-K08-5060-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | UTT60N06L-K08-5060-R |
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