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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ZXMN10A25GTA
Diodes Incorporated
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1 | Diodes Inc ZXMN10A25GTA N-channel MOSFET Transistor, 4 A, 100 V, 4-Pin SOT-223 | SOT223 (3-Pin) | ZXMN10A25GTA |
3
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ZXMN10A07ZTA
Diodes Incorporated
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1 | Diodes Inc ZXMN10A07ZTA N-channel MOSFET Transistor, 1.4 A, 100 V, 4-Pin SOT-89 | Other | ZXMN10A07ZTA |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ZXMN10A08GTA
Diodes Incorporated
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1 | Diodes Inc ZXMN10A08GTA N-channel MOSFET Transistor, 2.9 A, 100 V, 4-Pin SOT-223 | SOT223 (3-Pin) | ZXMN10A08GTA |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ZXMN10A08E6TA
Diodes Incorporated
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1 | Diodes Inc ZXMN10A08E6TA N-channel MOSFET Transistor, 1.9 A, 100 V, 6-Pin SOT-23 | SOT23 (6-Pin) | ZXMN10A08E6TA |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ZXMN10B08E6TA
Diodes Incorporated
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1 | Diodes Inc ZXMN10B08E6TA N-channel MOSFET Transistor, 1.9 A, 100 V, 6-Pin SOT-23 | SOT23 (6-Pin) | ZXMN10B08E6TA |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ZXMN10A11GTA
Diodes Incorporated
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1 | Diodes Inc ZXMN10A11GTA N-channel MOSFET Transistor, 2.4 A, 100 V, 4-Pin SOT-223 | SOT223 (3-Pin) | ZXMN10A11GTA |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ZXMN10A07FTA
Diodes Incorporated
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1 | N-Channel 100 V 700mA (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 | SOT23 (3-Pin) | ZXMN10A07FTA |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ZXMN10A25KTC
Diodes Incorporated
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1 | Diodes Inc ZXMN10A25KTC N-channel MOSFET Transistor, 6.4 A, 100 V, 3-Pin TO-252Low On-ResistanceFast Switching SpeedLow Gate DriveLead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2)Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability | Other | ZXMN10A25KTC |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ZXMN10A08DN8TA
Diodes Incorporated
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1 | Diodes Inc ZXMN10A08DN8TA Dual N-channel MOSFET Transistor, 2.1 A, 100 V, 8-Pin SOIC | Small Outline Packages | ZXMN10A08DN8TA |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ZXMN10A07F
Diodes Incorporated
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1 | N-Channel 100 V 700mA (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 | Other | ZXMN10A07F |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ZXMN10A11G
Diodes Incorporated
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1 | DIODES INC. - ZXMN10A11G - MOSFET Transistor, N Channel, 1.8 A, 100 V, 0.6 ohm, 10 V, 4 V | SOT223 (3-Pin) | ZXMN10A11G |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ZXMN10A08E6
Diodes Incorporated
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0 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET | Other | ZXMN10A08E6 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ZXMN10A09K
Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd
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1 | N-channel high voltage MOSFET with 100 V drain-source voltage, 85 mΩ on-resistance at 10 V gate-source voltage, 7.7 A continuous drain current, and TO-252 surface mount package. | ZXMN10A09K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ZXMN10A07FTC
Zetex / Diodes Inc
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.7A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | ZXMN10A07FTC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ZXMN10A11GFTA
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | ZXMN10A11GFTA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ZXMN10A07ZTA
Zetex / Diodes Inc
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | ZXMN10A07ZTA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ZXMN10A08GTA
Zetex / Diodes Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 100V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA | ZXMN10A08GTA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ZXMN10A11GFTC
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 100V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | ZXMN10A11GFTC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ZXMN10A08E6QTC
Diodes Incorporated
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | ZXMN10A08E6QTC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ZXMN10A08DN8TA
Zetex / Diodes Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.1A I(D), 100V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | ZXMN10A08DN8TA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ZXMN10A11GFTA
Zetex / Diodes Inc
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | ZXMN10A11GFTA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ZXMN10A08E6TC
Zetex / Diodes Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 100V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | ZXMN10A08E6TC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ZXMN10A11GTC
Zetex / Diodes Inc
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | ZXMN10A11GTC |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ZXMN10A25K
Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd
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1 | N-channel high-voltage MOSFET with 100V drain-source voltage, 125mΩ on-resistance at 10V gate voltage, 6.4A continuous drain current, and surface mount TO-252 package. | ZXMN10A25K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ZXMN10B08E6QTA
Diodes Incorporated
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | ZXMN10B08E6QTA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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