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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9Z34-015
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9Z34-015 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9Z34N-017
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | IRF9Z34N-017 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9Z30-013PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 18A, 50V, 0.14ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF9Z30-013PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9Z10
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 50V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9Z10 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9Z12-013
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 50V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF9Z12-013 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9Z22-005
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.9A I(D), 50V, 0.33ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9Z22-005 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9Z22-004PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 8.9A, 50V, 0.33ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF9Z22-004PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9Z24N-024
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF9Z24N-024 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9Z14-005
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9Z14-005 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9Z22-005
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.9A I(D), 50V, 0.33ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF9Z22-005 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9Z34N-029
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9Z34N-029 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9Z14-017
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9Z14-017 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9Z12-004PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 4A, 50V, 0.7ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF9Z12-004PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9Z24-003
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9Z24-003 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9Z34-017PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9Z34-017PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9Z14-019PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9Z14-019PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9Z20-009PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 50V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9Z20-009PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9Z20
Thomson Consumer Electronics
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1 | Transistor | IRF9Z20 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9Z32-011PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 50V, 0.21ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9Z32-011PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9Z34NSTRLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 55V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 | IRF9Z34NSTRLPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9Z14-009PBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | IRF9Z14-009PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9Z12-009
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 50V, 0.7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF9Z12-009 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9Z34-017
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9Z34-017 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9Z14-018
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9Z14-018 |
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IRF9Z24-001
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 60V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9Z24-001 |
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