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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PRFMB75E6
Nihon Inter Electronics Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | PRFMB75E6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PRFMB50E6
KYOCERA Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | PRFMB50E6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PRFMB600E6
KYOCERA Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | PRFMB600E6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PRFMB75W6
KYOCERA Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | PRFMB75W6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PRFMB600E6C
Nihon Inter Electronics Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 600A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | PRFMB600E6C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PRFMB400W6
KYOCERA Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | PRFMB400W6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PRFMB50E6
Nihon Inter Electronics Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | PRFMB50E6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PRFMB150E6
Nihon Inter Electronics Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | PRFMB150E6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PRFMB200E6
Nihon Inter Electronics Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | PRFMB200E6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PRFMB100E6
KYOCERA Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | PRFMB100E6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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PRFMB200E6
KYOCERA Corporation
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | PRFMB200E6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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