Showing 25 of 770 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NWWS3JB62R0
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 3.2W, 62ohm, 5% +/-Tol, 20ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL | NWWS3JB62R0 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HS3JB
HY Electronic Corp
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon | HS3JB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HS3JB
Yangzhou Yangjie Electronics Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), DO-214AA | HS3JB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WWS3JB3K60
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 3.2W, 3600ohm, 5% +/-Tol, 20ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL | WWS3JB3K60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NWWS3JB160R
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 3.2W, 160ohm, 5% +/-Tol, 20ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL | NWWS3JB160R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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S2M6886000BCS3JB
Hong Kong X'Tals Ltd
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1 | Series - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 68.86MHz Max, 68.86MHz Nom | S2M6886000BCS3JB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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S3JB
Goodwork Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), DO-214AA | S3JB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NWWS3JB5R60
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 3.2W, 5.6ohm, 5% +/-Tol, 50ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL | NWWS3JB5R60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MRS3JBR120
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Alloy, 3W, 0.12ohm, 5% +/-Tol, -50,50ppm/Cel, | MRS3JBR120 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GS3JB
Taiwan Semiconductor
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AA | GS3JB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WWS3JB1R50
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 3.2W, 1.5ohm, 5% +/-Tol, 50ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL | WWS3JB1R50 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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S4M68860004CS3JB
Hong Kong X'Tals Ltd
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1 | Series - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 68.86MHz Max, 68.86MHz Nom | S4M68860004CS3JB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HC49US3-JB2F18-4.000
ILSI America LLC
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 4MHz Nom | HC49US3-JB2F18-4.000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WWS3JB9R10
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 3.2W, 9.1ohm, 5% +/-Tol, 50ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL | WWS3JB9R10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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GS3JB
Yangzhou Yangjie Electronics Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AA | GS3JB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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S210000000JCS3JB
Hong Kong X'Tals Ltd
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1 | Series - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 100MHz Max, 100MHz Nom | S210000000JCS3JB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HC49US3-JB0318-100.000
ILSI America LLC
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1 | Parallel - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 100MHz Nom | HC49US3-JB0318-100.000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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S2100000003CS3JB
Hong Kong X'Tals Ltd
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1 | Series - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 100MHz Max, 100MHz Nom | S2100000003CS3JB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NWWS3JB3R00
SEI Stackpole Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Wire Wound, 3.2W, 3ohm, 5% +/-Tol, 50ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL | NWWS3JB3R00 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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S3JBF
SUNMATE electronic Co., LTD
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1 | Surface mount rectifier diode in SMBF case, 3.0A average rectified current, 50-1000V DC blocking voltage, 1.20V forward voltage at 3.0A, 100A non-repetitive surge current, operating junction temperature from -65 to +150°C. | S3JBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES3JB
Shandong Jingdao Microelectronics Co Ltd
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1 | Surface Mount Superfast Recovery Rectifier in SMB package, with reverse voltage from 50 to 600 V, forward current of 3 A, low profile, glass passivated junction, and lead-free compliant design. | ES3JB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HC49US3-JB0F18-9.000
ILSI America LLC
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 9MHz Nom | HC49US3-JB0F18-9.000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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S3JB
Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 600V V(RRM), Silicon | S3JB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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US3JBF (UF3JBF)
Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd
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1 | Ultrafast recovery rectifier diode in SMBF surface mount package, with repetitive peak reverse voltage from 50 to 1000 V, average forward current up to 3 A, and low forward voltage drop.Ultrafast recovery rectifier diode in SMBF surface mount package, with maximum repetitive peak reverse voltage from 50 to 1000 V, forward current up to 3 A, and reverse recovery time as low as 50 ns.Ultrafast recovery rectifier diode in SMBF surface mount package, with repetitive peak reverse voltage from 50 to 1000 V, average forward current up to 3 A, and low forward voltage drop.Ultrafast recovery rectifier diode in SMBF surface mount package, with repetitive peak reverse voltage from 50 to 1000 V, average forward current up to 3 A, and low forward voltage drop. | US3JBF (UF3JBF) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ES3JB
SUNMATE electronic Co., LTD
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1 | Surface mount super fast recovery diodes in SMB/DO-214AA package with 50 to 600V reverse voltage range, 3.0A average rectified current, 100A peak forward surge current, and 35ns reverse recovery time.Surface mount super fast recovery diodes in SMB/DO-214AA package, rated 50-600V repetitive reverse voltage, 3.0A average rectified current, 100A peak forward surge, 35ns reverse recovery time, operating junction temperature -65 to +150°C.Surface mount super fast recovery diodes in SMB/DO-214AA package, rated for 50 to 600V repetitive reverse voltage, 3.0A average rectified current, 100A non-repetitive surge current, with low forward voltage drop and 35ns reverse recovery time.Surface mount super fast recovery diodes in SMB/DO-214AA package, rated 50-600V repetitive reverse voltage, 3.0A average rectified current, 100A non-repetitive surge current, 35ns reverse recovery time, and operating junction temperature from -65 to +150°C.Surface mount super fast recovery diodes in SMB/DO-214AA package, rated for 3.0A average rectified current and 50 to 600V peak repetitive reverse voltage, with 35ns reverse recovery time and low forward voltage drop. | ES3JB |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||