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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2D301200CWQ
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247 | WNSC2D301200CWQ |
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WNSC2D30650WQ
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 30A, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247 | WNSC2D30650WQ |
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WNSC2D04650TJ
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 4A, 650V V(RRM), Silicon Carbide | WNSC2D04650TJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2M75120W
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42.8A I(D), 1200V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | WNSC2M75120W |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2D10650WQ
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247 | WNSC2D10650WQ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2D101200BT26J
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-263AB | WNSC2D101200BT26J |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2M40140R6Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 91A I(D), 1400V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | WNSC2M40140R6Q |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2D801200W6Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 157A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247 | WNSC2D801200W6Q |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2D501200W6Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 50A, 1200V V(RRM), Silicon, TO-247 | WNSC2D501200W6Q |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2D201200CWQ
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247 | WNSC2D201200CWQ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2M25065B76J
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WNSC2M25065B76J |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2M20065B7
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 165A I(D), 650V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | WNSC2M20065B7 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2D08650Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-220AC | WNSC2D08650Q |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2M150120R6Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 1200V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | WNSC2M150120R6Q |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2M60120B7-A6J
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WNSC2M60120B7-A6J |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2M43065R6Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WNSC2M43065R6Q |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2M20120B76J
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WNSC2M20120B76J |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2M75120R
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 53.9A I(D), 1200V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | WNSC2M75120R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2M55065W6Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WNSC2M55065W6Q |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2D20650CJQ
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 650V V(RRM), Silicon Carbide | WNSC2D20650CJQ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2M60120W-A6Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WNSC2M60120W-A6Q |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2M100065R6Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WNSC2M100065R6Q |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2D301200CW-A6Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 33A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247 | WNSC2D301200CW-A6Q |
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WNSC2D08650TJ
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 650V V(RRM), Silicon Carbide | WNSC2D08650TJ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2D051400D6J
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 1400V V(RRM), Silicon Carbide, TO-252 | WNSC2D051400D6J |
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