Showing 25 of 164 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
WNSC2D501200W6Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 50A, 1200V V(RRM), Silicon, TO-247 | WNSC2D501200W6Q |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WNSC2D151200BT26J
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 15A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-263AB | WNSC2D151200BT26J |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WNSC2M60120B76J
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 1200V, 0.068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263, TO-263P-7L, 7 PIN | WNSC2M60120B76J |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WNSC2M30120B7
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 104.2A I(D), 1200V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | WNSC2M30120B7 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WNSC2D201200W-B6Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 20A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247 | WNSC2D201200W-B6Q |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WNSC2D301200CW-A
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 33A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247 | WNSC2D301200CW-A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WNSC2M55065W6Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor | WNSC2M55065W6Q |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WNSC2M60120W-A6Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor | WNSC2M60120W-A6Q |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WNSC2D08650TJ
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 650V V(RRM), Silicon Carbide | WNSC2D08650TJ |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WNSC2M100065R6Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor | WNSC2M100065R6Q |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WNSC2M150120B7-A6J
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor | WNSC2M150120B7-A6J |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WNSC2M75120R
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 53.9A I(D), 1200V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | WNSC2M75120R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WNSC2D051400D6J
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 1400V V(RRM), Silicon Carbide, TO-252 | WNSC2D051400D6J |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WNSC2M30120B7-A
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 93A I(D), 1200V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | WNSC2M30120B7-A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WNSC2M20120B76J
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor | WNSC2M20120B76J |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WNSC2M43065R6Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor | WNSC2M43065R6Q |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WNSC2D20650CJQ
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 650V V(RRM), Silicon Carbide | WNSC2D20650CJQ |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WNSC2M60120B7-A6J
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor | WNSC2M60120B7-A6J |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WNSC2D301200CW-A6Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 33A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247 | WNSC2D301200CW-A6Q |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WNSC2M100065B76J
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor | WNSC2M100065B76J |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WNSC2D201200WQ
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 20A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247 | WNSC2D201200WQ |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WNSC2D021200
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-220AC | WNSC2D021200 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WNSC2M150120R6Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 1200V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | WNSC2M150120R6Q |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WNSC2D08650Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-220AC | WNSC2D08650Q |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WNSC2M20065B7
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 165A I(D), 650V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | WNSC2M20065B7 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||