Showing 25 of 178 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2D151200WQ
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 15A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide | WNSC2D151200WQ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2M20120R6Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WNSC2M20120R6Q |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2M1K0170B7J
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 1700V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | WNSC2M1K0170B7J |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2M55065R
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WNSC2M55065R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2M55065R6Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WNSC2M55065R6Q |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2D401200W6Q
WeEn Semiconductors
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1 | Diode 1200 V 40A Through Hole TO-247-2 | WNSC2D401200W6Q |
1
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2M55065W
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WNSC2M55065W |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2D20650CWQ
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247 | WNSC2D20650CWQ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2D06650XQ
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 6A, 650V V(RRM), Silicon Carbide | WNSC2D06650XQ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2D10650DJ
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-252 | WNSC2D10650DJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2M70065R
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WNSC2M70065R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2D051200D6J
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-252 | WNSC2D051200D6J |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2D0512006Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 5A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-220AC | WNSC2D0512006Q |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2D201200W-A
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 42A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247 | WNSC2D201200W-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2D10650Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-220AC | WNSC2D10650Q |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2D051700W6Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 21A, 1700V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247 | WNSC2D051700W6Q |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2M40120R6Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WNSC2M40120R6Q |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC201200WQ
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 20A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247 | WNSC201200WQ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2M60120R6Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 61.1A I(D), 1200V, 0.068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | WNSC2M60120R6Q |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2D101200CW6Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 5A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247 | WNSC2D101200CW6Q |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2D201200W6Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 51A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247 | WNSC2D201200W6Q |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2M20065B76J
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 165A I(D), 650V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET | WNSC2M20065B76J |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2D10650BJ
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-263AB | WNSC2D10650BJ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2M70065W6Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WNSC2M70065W6Q |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2M30120R-A6Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WNSC2M30120R-A6Q |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||