Showing 25 of 12026 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FLM5964-18DA
FUJITSU Limited
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET | FLM5964-18DA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CGH55030P2
Cree, Inc.
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Nitride, N-Channel, High Electron Mobility FET | CGH55030P2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF6G10LS-135RN,11
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF6G10LS-135RN,11 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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934061276135
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 934061276135 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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VRF190E
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | VRF190E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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D2020UK.02
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | D2020UK.02 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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933930000112
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 933930000112 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF7G20LS-90P,118
Ampleon
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLF7G20LS-90P,118 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1214GN-280LV
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, N-Channel | 1214GN-280LV |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BCP030T
Berex Corp
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET | BCP030T |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MRF6S19120HSR3
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | MRF6S19120HSR3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF8G09LS-400PW
Ampleon
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, | BLF8G09LS-400PW |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLA1011-200
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | BLA1011-200 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MRF8P23160WHR3
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | MRF8P23160WHR3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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BLF8G10LS-270GV
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | BLF8G10LS-270GV |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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A5G26S004NT6
NXP Semiconductors
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | A5G26S004NT6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MRF6V12500HSR5
Freescale Semiconductor
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | MRF6V12500HSR5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FPD2000V
RF Micro Devices Inc
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | FPD2000V |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TIM7785-45SL
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR X BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, 2-16G1B, 2 PIN, FET RF Power | TIM7785-45SL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NE5510179A-T1
Renesas Electronics Corporation
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, L Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | NE5510179A-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SPM2001(MA)TL
SANYO Electric Co Ltd
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | SPM2001(MA)TL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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D2230UKG4
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | D2230UKG4 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ELM7179-16F
SUMITOMO ELECTRIC Industries Ltd
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | ELM7179-16F |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MGFC36V4450A-51
Mitsubishi Electric
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1 | RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, C Band, Gallium Arsenide, N-Channel, Junction FET | MGFC36V4450A-51 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1214-450M
Microchip Technology Inc
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1 | RF Power Field-Effect Transistor | 1214-450M |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||