Showing 14 of 164 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
WNSC2M60120W6Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 1200V, 0.068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | WNSC2M60120W6Q |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WNSC2D101200W-A6Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 27A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247 | WNSC2D101200W-A6Q |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WNSC2M30120B76J
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 104.2A I(D), 1200V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | WNSC2M30120B76J |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WNSC2M20065R6Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor | WNSC2M20065R6Q |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WNSC2M45065R
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 84A I(D), 650V, 0.058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | WNSC2M45065R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WNSC2D601200W6Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 135A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247 | WNSC2D601200W6Q |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WNSC2D501200CW6Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 96A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247 | WNSC2D501200CW6Q |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WNSC2M1K0170WQ
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 1700V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | WNSC2M1K0170WQ |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WNSC2D601200W
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 135A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247 | WNSC2D601200W |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WNSC2M12120R6Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 216A I(D), 1200V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | WNSC2M12120R6Q |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WNSC2M43065W
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor | WNSC2M43065W |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WNSC2M43065W6Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Power Field-Effect Transistor | WNSC2M43065W6Q |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WNSC2D04650XQ
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 4A, 650V V(RRM), Silicon Carbide | WNSC2D04650XQ |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
WNSC2D03650MBJ
WeEn Semiconductor Co Ltd
|
1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 650V V(RRM), Silicon Carbide | WNSC2D03650MBJ |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||