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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2D2012006Q
WeEn Semiconductors
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1 | Schottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK | WNSC2D2012006Q |
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WNSC2D101200D6J
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-252 | WNSC2D101200D6J |
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WNSC2M1K0170W
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 1700V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | WNSC2M1K0170W |
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WNSC2M1K0170WQ
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 1700V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | WNSC2M1K0170WQ |
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WNSC2D201200W-B
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 20A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247 | WNSC2D201200W-B |
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WNSC2D401200CW-A6Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 38A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247 | WNSC2D401200CW-A6Q |
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WNSC2M60120R
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 61.1A I(D), 1200V, 0.068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | WNSC2M60120R |
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WNSC2M30120B76J
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 104.2A I(D), 1200V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | WNSC2M30120B76J |
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WNSC2D20650CJ
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 650V V(RRM), Silicon Carbide | WNSC2D20650CJ |
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WNSC2D201200CW-A
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 25A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247 | WNSC2D201200CW-A |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2M20065TB6J
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WNSC2M20065TB6J |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2D601200W6Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 135A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247 | WNSC2D601200W6Q |
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WNSC2M45065R
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 84A I(D), 650V, 0.058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | WNSC2M45065R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2D101200W-A6Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 27A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247 | WNSC2D101200W-A6Q |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2M40120R
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WNSC2M40120R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2D04650XQ
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 4A, 650V V(RRM), Silicon Carbide | WNSC2D04650XQ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2M43065W6Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WNSC2M43065W6Q |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2M43065W
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WNSC2M43065W |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2M30120B7-A6J
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 93A I(D), 1200V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263 | WNSC2M30120B7-A6J |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2D101200-A6Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 30A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-220AB | WNSC2D101200-A6Q |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2M60120W6Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 1200V, 0.068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | WNSC2M60120W6Q |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2M20065R6Q
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor | WNSC2M20065R6Q |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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WNSC2D401200CWQ
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247 | WNSC2D401200CWQ |
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WNSC2D06650T
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 6A, 650V V(RRM), Silicon Carbide | WNSC2D06650T |
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WNSC2D03650MBJ
WeEn Semiconductor Co Ltd
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1 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 650V V(RRM), Silicon Carbide | WNSC2D03650MBJ |
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