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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9Z14-006
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9Z14-006 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF9Z34N-013
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9Z34N-013 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF9Z34N-010
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9Z34N-010 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF9Z14-003
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9Z14-003 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF9Z24N-019PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 12A, 55V, 0.175ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF9Z24N-019PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF9Z34N-003
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9Z34N-003 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF9Z34-030
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9Z34-030 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF9Z34-031
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9Z34-031 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF9Z34N-006
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9Z34N-006 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF9Z32-002PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 15A, 50V, 0.21ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF9Z32-002PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF9Z32-002
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 50V, 0.21ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF9Z32-002 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF9Z24NLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA, LEAD FREE, PLASTIC, TO-262, 3 PIN | IRF9Z24NLPBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF9Z34FX
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9Z34FX |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF9Z34-030PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9Z34-030PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF9Z34N-015PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9Z34N-015PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF9Z24-002
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9Z24-002 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF9Z34N-010PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 17A, 55V, 0.1ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | IRF9Z34N-010PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF9Z30-004
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 50V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF9Z30-004 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF9Z34N-002
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9Z34N-002 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF9Z14-031PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9Z14-031PBF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF9Z34-001
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9Z34-001 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF9Z34N-017PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9Z34N-017PBF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF9Z30-009
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 50V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF9Z30-009 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF9Z34N-003
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | IRF9Z34N-003 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF9Z22-011PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 8.9A, 50V, 0.33ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF9Z22-011PBF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||