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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC4228-T1-A
Renesas Electronics
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1 | Renesas Electronics 2SC4228-T1-A NPN RF Bipolar Transistor, 35 mA, 10 V, 3-Pin SOT-323 | SOT23 (3-Pin) | 2SC4228-T1-A |
2
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2SC4207
Toshiba
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1 | NPN + NPN Bipolar Transistor, 50 V, 0.15 A, SOT-25(SMV) | Other | 2SC4207 |
3
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2SC4278
ROHM Semiconductor
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1 | SILICON POWER TRANSISTOR | Transistor Outline, Vertical | 2SC4278 |
2
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2SC4213BTE85LF
Toshiba
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1 | Bipolar (BJT) Transistor NPN 20 V 300 mA 30MHz 100 mW Surface Mount SC-70 Power - Max 100 mW Frequency - Transition 30MHz | Other | 2SC4213BTE85LF |
3
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2SC4207-Y(TE85L,F)
Toshiba
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1 | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter 50V 150mA 80MHz 300mW Surface Mount SMV | Other | 2SC4207-Y(TE85L,F) |
3
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2SC4213
Toshiba
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1 | NPN Bipolar Transistor, 20 V, 0.3 A, SOT-323(USM) | Other | 2SC4213 |
3
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2SC4215-Y(TE85L,F)
Toshiba
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1 | Bipolar Transistors - BJT Radio-Freq Bipolar NPN 20mA 100mW 30V | Other | 2SC4215-Y(TE85L,F) |
3
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2SC4207-BL(TE85L,F
Toshiba
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1 | Bipolar Transistors - BJT Gen Trans NPN NPN 50V, 0.15A, SMV | Other | 2SC4207-BL(TE85L,F |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC4226 R25-MS
Shikues
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1 | High gain: |S21e|2 TYP.Value is 11dB Low noise:NF TYP.Value is 1.4dB | SOT23 (3-Pin) | 2SC4226 R25-MS |
3
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2SC4213-A(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | 2SC4213-A(TE85L) | 2SC4213-A(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC4213-B(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | 2SC4213-B(TE85L) | 2SC4213-B(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC4228-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | 2SC4228-A | 2SC4228-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC4210-Y(TE85L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | 2SC4210-Y(TE85L) | 2SC4210-Y(TE85L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC42404
onsemi
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1 | 2SC42404 | 2SC42404 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC4227-T1R34-A
NEC Electronics Group
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN | 2SC4227-T1R34-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC4228-T2R44
NEC Electronics Group
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.035A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN | 2SC4228-T2R44 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC4226G-R23-AL3-R
Unisonic Technologies Co Ltd
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN | 2SC4226G-R23-AL3-R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC4219
onsemi
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1 | Transistor | 2SC4219 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC4209TE85R
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236 | 2SC4209TE85R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC4227-R35
NEC Compound Semiconductor Devices Ltd
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.065A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN | 2SC4227-R35 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC4252
Inchange Semiconductor Company Ltd
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor | 2SC4252 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC4272E2
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-243 | 2SC4272E2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC4242
Inchange Semiconductor Company Ltd
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1 | Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2SC4242 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC4207BLTE85L
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon | 2SC4207BLTE85L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SC4226 R24
SLKOR
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1 | NPN, silicon epitaxial planar, low noise, high gain, 150mW, VCBO 20V, VCEO 12V, VEBO 3V, IC 100mA, Tj -65 to +150°C, SOT-323. | 2SC4226 R24 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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