Showing 25 of 136 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ERG-2SJ271
Panasonic
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1 | Metal Oxide Resistors 270 OHM 5% 300PPM 2W | Resistors, Axial Diameter Horizontal Mounting | ERG-2SJ271 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ279(L)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.27ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ279(L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ278MYUR
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 60V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ278MYUR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ270-CB
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ270-CB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ270
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ270 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ272-RB
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ272-RB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ277DR
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ277DR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ275DL
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ275DL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ271-CB
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ271-CB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ270-YA
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ270-YA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ275
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.55ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ275 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ279(S)TL
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.27ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ279(S)TL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ279(L)
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.27ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ279(L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ275FD
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ275FD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ272-RA
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ272-RA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ279(S)TL
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.27ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ279(S)TL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ274-RA
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ274-RA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ279(S)
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.27ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ279(S) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ279(S)TR
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.27ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ279(S)TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ275SMP
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.55ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ275SMP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ277SMP-FD
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ277SMP-FD |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ279(S)TR
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.27ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ279(S)TR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ274-YA
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN | 2SJ274-YA |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ275SMP
SANYO Semiconductor Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.55ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SJ275SMP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SJ274-RB
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 100V, 0.16ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SJ274-RB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||