Showing 25 of 215 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GP120JD2
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 29A I(C), 1200V V(BR)CES | APT35GP120JD2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GP120JDF2
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 64A I(C), 1200V V(BR)CES | APT35GP120JDF2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35-101DN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT35-101DN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GP120JD2
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 29A I(C), 1200V V(BR)CES | APT35GP120JD2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GP120B2D2
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 46A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT35GP120B2D2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3530DN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT3530DN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GP120B2SC20
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor | APT35GP120B2SC20 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3507DN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,350V V(BR)DSS,60A I(D),CHIP / DIE | APT3507DN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3507DN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT3507DN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3525BN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 350V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT3525BN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GN120L2DQ2
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 94A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT35GN120L2DQ2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3525AN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT3525AN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GA90BD15
Microchip Technology Inc
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1 | IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 35 A TO-247 | APT35GA90BD15 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3555AN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,350V V(BR)DSS,10.5A I(D),TO-3 | APT3555AN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3530BN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 18.5A, 350V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN | APT3530BN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3565BN-GULLWING
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 350V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT3565BN-GULLWING |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3540BN-GULLWING
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 350V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT3540BN-GULLWING |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3540BN-GULLWING
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 16A, 350V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN | APT3540BN-GULLWING |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35DL120HJ
Microchip Technology Inc
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1 | Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 35A, 1200V V(RRM), Silicon | APT35DL120HJ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GL60BN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 35A, 600V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 | APT35GL60BN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3530BN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18.5A I(D), 350V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT3530BN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3520BN-GULLWING
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 26A, 350V, 0.2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN | APT3520BN-GULLWING |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GT120JU2
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 55A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT35GT120JU2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT3580BN-BUTT
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 10 A, 350 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 | APT3580BN-BUTT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT35GP120JDQ2
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 64A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | APT35GP120JDQ2 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||