Showing 25 of 435 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT80GA90B
Microchip
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1 | IGBT Transistors FG, IGBT, 900V, TO-247 | Other | APT80GA90B |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT80GP60JDF3
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 151A I(C), 600V V(BR)CES | APT80GP60JDF3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT80GP60JDF3
Microchip Technology Inc
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 151A I(C), 600V V(BR)CES | APT80GP60JDF3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT80-101DN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT80-101DN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8052HLL
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8052HLL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8014JFLL
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 800V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8014JFLL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT802R8BN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 800V, 2.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT802R8BN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8052HLL
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 800V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-258AA | APT8052HLL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT802RCN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,800V V(BR)DSS,5A I(D),TO-254AA | APT802RCN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT802R4BN-BUTT
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 5.5 A, 800 V, 2.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 | APT802R4BN-BUTT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT801R4AN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 800V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | APT801R4AN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT801R2AN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 800V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | APT801R2AN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT80F60J
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 84A I(D), 600V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT80F60J |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT802R8GN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 800V, 2.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257 | APT802R8GN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8090BNR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 800V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT8090BNR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8030B2VR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 800V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8030B2VR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8024B2FLL
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 800V, 0.26ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8024B2FLL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8030B2VRG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 800V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8030B2VRG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT801R2BNR-GULLWING
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 800V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT801R2BNR-GULLWING |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT802R8AN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 800V, 2.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3 | APT802R8AN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8024B2VFR
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 800V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8024B2VFR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8075AN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.5A I(D), 800V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3 | APT8075AN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT80GA90LD40
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 145A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA | APT80GA90LD40 |
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APT8020B2LLG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 800V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8020B2LLG |
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APT8075CN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor | APT8075CN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||