Showing 25 of 113 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFS-10V470ME3#5
Elna
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitors - Radial Leaded 47uF 10V 20% Audio SILMIC II | Capacitor, Polarized Radial Diameter | RFS-10V470ME3#5 |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10VS-5-T2
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 250V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10VS-5-T2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10VS-03-T1
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10VS-03-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10VS-5
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 250V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10VS-5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10VSJ-2-T1
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10VSJ-2-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10VSH-03-T2
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.141ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10VSH-03-T2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10VSJ-3-T2
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 150V, 0.165ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10VSJ-3-T2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10VSH-03-T1
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.141ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10VSH-03-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10VS-2
Powerex Power Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10VS-2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10VS-12-T1
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 0.94ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10VS-12-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10VS-14A-T2
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 700V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10VS-14A-T2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10VS-14A-T1
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 700V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10VS-14A-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10VS-06-T2
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10VS-06-T2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10VS-10
Powerex Power Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 500V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10VS-10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10VSJ-06
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10VSJ-06 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10VS-9
Powerex Power Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 450V, 0.73ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10VS-9 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10VSJ-06-T1
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10VSJ-06-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10VS-14A
Powerex Power Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 700V, 1.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220S, 3 PIN | FS10VS-14A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10VS-2-T1
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10VS-2-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10VS-3
Powerex Power Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 150V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10VS-3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10VSJ-2
Powerex Power Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10VSJ-2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10VSJ-2-T2
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10VSJ-2-T2 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10VS-9-T1
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 450V, 0.73ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10VS-9-T1 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10VSJ-2
Renesas Electronics Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10VSJ-2 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FS10VS-03-T2
Mitsubishi Electric
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FS10VS-03-T2 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||