Showing 25 of 43 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FSS913AOR4
Intersil Corporation
|
1 | Transistor | FSS913AOR4 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSS913A0R3
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | FSS913A0R3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSS913A0D3
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | FSS913A0D3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSS9130R4
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.66ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | FSS9130R4 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSS913A0R4
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | FSS913A0R4 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSS913AOD3
Harris Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | FSS913AOD3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSS913A0R3
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | FSS913A0R3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSS913A0R1
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | FSS913A0R1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSS913A0D1
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | FSS913A0D1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSS9130R3
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.66ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | FSS9130R3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSS9130D4
Intersil Corporation
|
1 | Transistor | FSS9130D4 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSS9130D4
Harris Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.66ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | FSS9130D4 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSS9130R4
Harris Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.66ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | FSS9130R4 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSS9130R1
Harris Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.66ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | FSS9130R1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSS913A0D1
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | FSS913A0D1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSS913A0R1
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | FSS913A0R1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSS913AOR1
Harris Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | FSS913AOR1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSS913AOR3
Intersil Corporation
|
1 | Transistor | FSS913AOR3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSS9130D1
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.66ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | FSS9130D1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSS9130R3
Harris Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.66ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | FSS9130R3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSS9130R1
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.66ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | FSS9130R1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSS913A0D3
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | FSS913A0D3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSS913A0R4
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | FSS913A0R4 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSS913A0D1
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | FSS913A0D1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSS9130D1
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 100V, 0.66ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | FSS9130D1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||