Showing 25 of 29 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FSYA254R3
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 250V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYA254R3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSYA250D1
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYA250D1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSYA254D3
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 250V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYA254D3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSYA250D1
Harris Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYA250D1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSYA250R3
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYA250R3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSYA250D1
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYA250D1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSYA250R1
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYA250R1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSYA254D1
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 250V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYA254D1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSYA250R4
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYA250R4 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSYA254R1
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 250V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYA254R1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSYA250R3
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYA250R3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSYA254D1
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 250V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYA254D1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSYA250R3
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYA250R3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSYA250R4
Harris Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYA250R4 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSYA254D3
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 250V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYA254D3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSYA250R1
Harris Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYA250R1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSYA250D3
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYA250D3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSYA250R3
Harris Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYA250R3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSYA254R4
Intersil Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 250V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYA254R4 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSYA250R4
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYA250R4 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSYA250D3
Harris Semiconductor
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYA250D3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSYA250R4
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYA250R4 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSYA250R1
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYA250R1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSYA254D1
International Rectifier
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 250V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYA254D1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FSYA250D3
Fairchild Semiconductor Corporation
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | FSYA250D3 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||