Showing 25 of 452 results
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF610SPBF
Vishay
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1 | IRF610SPBF, N-channel MOSFET Transistor, 3.3 A 200 V, 3-Pin D2PAK | TO-XXX (Inc. DPAK) | IRF610SPBF |
2
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF610PBF
Vishay
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1 | IRF610PBF | Transistor Outline, Vertical | IRF610PBF |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF610PBF
Vishay
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1 | IRF610PBF | Transistor Outline, Vertical | IRF610PBF |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF610PBF-BE3
Vishay
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1 | MOSFET 200V N-CH HEXFET | Transistor Outline, Vertical | IRF610PBF-BE3 |
3
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF610SPBF
Vishay
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1 | IRF610SPBF, N-channel MOSFET Transistor, 3.3 A 200 V, 3-Pin D2PAK | TO-XXX (Inc. DPAK) | IRF610SPBF |
2
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Download Model | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF610
Texas Instruments
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1 | IRF610 | IRF610 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF610
onsemi
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0 | IRF610 | IRF610 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF613
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 150V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF613 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF615-001
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 250V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF615-001 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF614SR
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3 | IRF614SR |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF614-018PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF614-018PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF611PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 150V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF611PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF610-001PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF610-001PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF615-012PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 250V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF615-012PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF613-012
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 150V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF613-012 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF611
National Semiconductor Corporation
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,150V V(BR)DSS,3.3A I(D),TO-220AB | IRF611 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF611
Texas Instruments
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,150V V(BR)DSS,3.3A I(D),TO-220AB | IRF611 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF6156
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20V, 0.04ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, FLIPFET-6 | IRF6156 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF612-011
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF612-011 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF614FXPBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 250V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | IRF614FXPBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF615
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF615 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF612-002
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.6A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF612-002 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF615-003
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 250V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF615-003 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF615-003PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 2.2A, 250V, 3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF615-003PBF |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF610
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF610 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||