Showing 25 of 55 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS23N15DPBF
Infineon
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1 | N-Channel MOSFET Transistor, 23 A, 150 V, 3-Pin International Rectifier IRFS23N15DPBF | Other | IRFS23N15DPBF |
3
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IRFS241
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 150V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS241 |
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IRFS254A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 250V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS254A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS23N15DPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 150V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS23N15DPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS240B
Rochester Electronics LLC
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1 | 12.8A, 200V, 0.18ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-3PF, 3 PIN | IRFS240B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS23N15DTRRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 150V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS23N15DTRRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS251
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20.7A I(D), 150V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS251 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS240A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.8A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS240A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS23N20DTRLPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS23N20DTRLPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS23N20DTRLP
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS23N20DTRLP |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS240
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS240 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS23N15DTRLP
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRFS23N15DTRLP |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS250A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21.3A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS250A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS240
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS240 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS23N15D
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 150V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS23N15D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS242
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS242 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS253
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 17.3A I(D), 150V, 0.12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS253 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS254
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 250V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS254 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS250B
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21.3A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS250B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS23N15D
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 150V, 0.09ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS23N15D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS240A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12.8A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS240A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS250B_FP001
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21.3A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS250B_FP001 |
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IRFS23N20DPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 200V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS23N20DPBF |
0
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IRFS244A
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.2A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS244A |
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IRFS254B
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 250V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS254B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||