Showing 25 of 56 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS9N60ATRL
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS9N60ATRL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS9N60ATRRPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS9N60ATRRPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS9N60A
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS9N60A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS9Z30
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 50V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS9Z30 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS9N60ATRLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS9N60ATRLPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS9N60ATRR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS9N60ATRR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS9N60APBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS9N60APBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS9Z34
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.14ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS9Z34 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS9N60APBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3 | IRFS9N60APBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS9N60A
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.2A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS9N60A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS9620
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS9620 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS9142
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.4A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS9142 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS9633
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 150V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS9633 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS9641
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 150V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS9641 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS9640
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS9640 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS9531
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS9531 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS9532
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS9532 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS9130
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 100V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS9130 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS9632
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS9632 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS9232
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS9232 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS9133
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 60V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS9133 |
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IRFS9522
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 100V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS9522 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS9523
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS9523 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFS9631
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 150V, 1.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRFS9631 |
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IRFS9143
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10.4A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFS9143 |
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