Showing 25 of 114 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM93064D
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.053ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM93064D |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM9250DPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 200V, 0.33ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM9250DPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM9260
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 200V, 0.16ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM9260 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM9130PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.325ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM9130PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM93064
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.053ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM93064 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM93250DPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 200V, 0.33ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM93250DPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM93064UPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.053ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM93064UPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM9250PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 200V, 0.33ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM9250PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM9160PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.075ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM9160PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM9250UPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 200V, 0.33ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM9250UPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM93150D
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.085ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM93150D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM93064PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.053ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM93064PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM93250D
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 200V, 0.33ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM93250D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM93260
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 200V, 0.16ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM93260 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM93250PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 200V, 0.33ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM93250PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM9064UPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.053ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM9064UPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM93130UPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 100V, 0.325ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM93130UPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM93150
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 0.085ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM93150 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM9160U
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.075ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM9160U |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM9130D
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM9130D |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM93260
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 200V, 0.16ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM93260 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM9230
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM9230 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM9250SCS
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 200V, 0.33ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM9250SCS |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM93160
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRHM93160 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM9150DPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 100V, 0.145ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM9150DPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||