Showing 25 of 119 results
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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JANSH2N7546U3
International Rectifier
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1 | JANSH2N7546U3 | JANSH2N7546U3 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JANSH2N7432U
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 51A I(D), 100V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SMD2, 3 PIN | JANSH2N7432U |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JANSH2N2222AUB
Semicoa Semiconductors
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0 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.0008A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, | JANSH2N2222AUB |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JANSH2N2221A
Defense Logistics Agency
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0 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.0008A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SIMILAR TO TO-18, 3 PIN | JANSH2N2221A |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JANSH2N7298
International Rectifier
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0 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SIMILAR TO TO-254AA, 3 PIN | JANSH2N7298 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JANSH2N2221AUB
Defense Logistics Agency
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0 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.0008A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, | JANSH2N2221AUB |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JANSH2N7422U
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SURFACE MOUNT PACKAGE-3 | JANSH2N7422U |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JANSH2N7280
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 14.4A I(D), 100V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA | JANSH2N7280 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JANSH2N2221AUA
Defense Logistics Agency
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0 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.0008A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, | JANSH2N2221AUA |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JANSH2N7269U
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 200V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD1, 3 PIN | JANSH2N7269U |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JANSH2N7480U3
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-0.5, 3 PIN | JANSH2N7480U3 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JANSH2N7390
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF | JANSH2N7390 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JANSH2N7468U2
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-2, 3 PIN | JANSH2N7468U2 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JANSH2N7261U
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18 | JANSH2N7261U |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JANSH2N7495U5
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11.7A I(D), 60V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, LCC-18 | JANSH2N7495U5 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JANSH2N7482T3
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3 PIN | JANSH2N7482T3 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JANSH2N2221AUBC
Microchip Technology Inc
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | JANSH2N2221AUBC |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JANSH2N7394
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3 | JANSH2N7394 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JANSH2N2222A
Semicoa Semiconductors
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0 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.0008A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-18, | JANSH2N2222A |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JANSH2N2221AUA/TR
Microsemi Corporation
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, | JANSH2N2221AUA/TR |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JANSH2N7503U8
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | JANSH2N7503U8 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JANSH2N2222AUA
Microsemi Corporation
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, CERAMIC PACKAGE-4 | JANSH2N2222AUA |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JANSH2N7496U5
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | JANSH2N7496U5 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JANSH2N7479U3
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-0.5, 3 PIN | JANSH2N7479U3 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JANSH2N7268U
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 34A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, CERAMIC, SMD-1, 3 PIN | JANSH2N7268U |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||