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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SBRFP10U60D1-13
Diodes Incorporated
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1 | Diode 60 V 10A Surface Mount TO-252 (DPAK) | Other | SBRFP10U60D1-13 |
2
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP10P12
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 120V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP10P12 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP10P03L
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.22ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP10P03L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP10N15L
Rochester Electronics LLC
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1 | 10A, 150V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | RFP10N15L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP10P12
Rochester Electronics LLC
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1 | 10A, 120V, 0.5ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | RFP10P12 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP10P03L
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP10P03L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP10N15
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 150V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP10N15 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP10N12L
Rochester Electronics LLC
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1 | 10A, 120V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | RFP10N12L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP10P15
Rochester Electronics LLC
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1 | 10A, 150V, 0.5ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | RFP10P15 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP10P15
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 150V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP10P15 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP10P03L
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.22ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP10P03L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP10N15
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 150V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | RFP10N15 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP10N12
Rochester Electronics LLC
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1 | 10A, 120V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA | RFP10N12 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP10N15
Rochester Electronics LLC
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1 | 10A, 150V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA | RFP10N15 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP10N15L
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 150V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP10N15L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP10N12L
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 120V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP10N12L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP10N12
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 120V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA | RFP10N12 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP10P15
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 150V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP10P15 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP10P12
Thomson Consumer Electronics
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1 | Transistor | RFP10P12 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP10P15
Thomson Consumer Electronics
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1 | Transistor | RFP10P15 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP10P12
Intersil Corporation
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1 | Transistor | RFP10P12 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP10N12L
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RFP10N12L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP10N12L
General Electric Solid State
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1 | Transistor | RFP10N12L |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP10P12
General Electric Solid State
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1 | Transistor | RFP10P12 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP10N15
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RFP10N15 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||