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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP30N06LE
onsemi
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1 | MOSFET TO-220AB N-Ch Power | Transistor Outline, Vertical | RFP30N06LE |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP30P05
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 50V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP30P05 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP30P06
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP30P06 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP30P05
Intersil Corporation
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1 | 30A, 50V, 0.065ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | RFP30P05 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP30P06
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP30P06 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP30N06LE
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP30N06LE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP30P06
Intersil Corporation
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1 | 30A, 60V, 0.065ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | RFP30P06 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP30N06LE
Intersil Corporation
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1 | 30A, 60V, 0.047ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | RFP30N06LE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP30-1-1-1610KQ
Chiefdom Electronic Co Ltd
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1 | Rotary Switch, 16 Positions, SP15T, On-on, Circular, 0.5A, 30VDC, Solder Terminal, Rotary Shaft Actuator, Through Hole-straight | RFP30-1-1-1610KQ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP30P05
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 50V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP30P05 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP30N06LE
Rochester Electronics LLC
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1 | 30A, 60V, 0.047ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN | RFP30N06LE |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP30N06LE_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3 | RFP30N06LE_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP30N06LE_NL
Rochester Electronics LLC
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1 | 30A, 60V, 0.047ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, LEAD FREE PACKAGE-3 | RFP30N06LE_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP30N06LE
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 60V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN | RFP30N06LE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP3055RLE
Intersil Corporation
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1 | RFP3055RLE | RFP3055RLE |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP3055
Rochester Electronics LLC
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1 | 12A, 60V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | RFP3055 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP3055
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | RFP3055 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP3055LE_NL
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.107ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, | RFP3055LE_NL |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP3055RLE
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RFP3055RLE |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP3055LE
Harris Semiconductor
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0 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP3055LE |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP3055
Intersil Corporation
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1 | 12A, 60V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | RFP3055 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP3055LE
Intersil Corporation
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1 | 12A, 60V, 0.15ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | RFP3055LE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP3055LE
Rochester Electronics LLC
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1 | 11A, 60V, 0.107ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | RFP3055LE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP3055RLE
Harris Semiconductor
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0 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RFP3055RLE |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP3055
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP3055 |
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