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SI4482DY
Vishay
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1 | MOSFET 100V 4.6A 2.5W | Small Outline Packages | SI4482DY |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4482DY
Temic Semiconductors
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4482DY |
0
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SI4482DY-T1-E3
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4482DY-T1-E3 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4482DY-T1
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4482DY-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4482DY-T1
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4482DY-T1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SI4482DY
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4482DY |
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SI4482DY-T1-E3
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SI4482DY-T1-E3 |
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SI4482DY
VBsemi Electronics Co Ltd
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1 | N-Channel 100 V MOSFET in SO-8 package with 0.040 ohm RDS(on) at 10 V VGS, 6.4 A continuous drain current, 23 nC typical gate charge, and RoHS compliant, halogen-free construction. | SI4482DY |
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