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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SS8550
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 | SS8550 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SS8550
AK Semiconductor
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1 | PNP transistor in SOT-23 package with collector current of -1.5A, collector-base breakdown voltage of -40V, and DC current gain (hFE) ranging from 120 to 400 depending on variant; designed for general-purpose switching and amplification applications. | SS8550 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SS8550
Micro Commercial Components
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 | SS8550 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SS8550
SLKOR
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1 | SS8550 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SS8550
Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon | SS8550 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SS8550
Samsung Semiconductor
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 | SS8550 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SS8550
Shandong Jingdao Microelectronics Co Ltd
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1 | PNP transistor in SOT-23 package with -40 V collector-base voltage, -25 V collector-emitter voltage, -1.5 A continuous collector current, 200 mW power dissipation, and DC current gain ranging from 120 to 400 depending on rank. | SS8550 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SS8550
Secos Corporation
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1 | Small Signal Bipolar Transistor | SS8550 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SS8550
Bytesonic Corporation
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 | SS8550 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SS8550
CREATEK Microelectronics
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1 | PNP silicon general purpose transistor in SOT-23 package with -40V collector-base voltage, -25V collector-emitter voltage, -1.5A collector current, 350mW power dissipation, and DC current gain ranging from 120 to 400. | SS8550 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SS8550
Shikues Semiconductor
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1 | SS8550 |
0
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SS8550
Shanghai Lunsure Electronic Technology Co Ltd
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 | SS8550 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SS8550
Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd
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1 | PNP bipolar transistor in SOT-23 package with maximum collector current of -1500 mA, collector-emitter voltage of -25 V, and DC current gain ranging from 120 to 400, suitable for surface mount applications. | SS8550 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SS8550
National Semiconductor Corporation
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1 | Transistor | SS8550 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SS8550
Texas Instruments
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1 | TRANSISTOR,BJT,PNP,25V V(BR)CEO,1.5A I(C),TO-92 | SS8550 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SS8550
Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, | SS8550 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SS8550
Galaxy Microelectronics
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon | SS8550 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SS8550
Microdiode Semiconductor (MDD)
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1 | SOT-23, Plastic-Encapsulate, PNP Transistor | SS8550 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SS8550
Yangzhou Yangjie Electronics Co Ltd
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1 | Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon | SS8550 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SS8550
Formosa Microsemi
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1 | Transistor PNP | Other | SS8550 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SS8550CTA
onsemi
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1 | Complementary to SS8050; Collector Current : IC = 1.5 A; Power Dissipation, PD = 1 W (TC = 25°C ) | Other | SS8550CTA |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SS8550DBU
onsemi
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1 | PNP Epitaxial Silicon Transistor Collector Current : IC = 1.5 A; Power Dissipation, PD = 1 W (TC = 25°C ) | Other | SS8550DBU |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SS8550CBU
onsemi
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1 | Complementary to SS8050; Collector Current : IC = 1.5 A; Power Dissipation, PD = 1 W (TC = 25°C ) | Other | SS8550CBU |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SS8550DTA
onsemi
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1 | Complementary to SS8050; Collector Current : IC = 1.5 A; Power Dissipation, PD = 1 W (TC = 25°C ) | Other | SS8550DTA |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SS8550-Y2
MDD
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1 | 25V 300mW 1.5A PNP SOT-23 Single Bipolar Transistors RoHS -55~+150 ℃,25V 1.5A | SOT23 (3-Pin) | SS8550-Y2 |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||