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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPD48576236F1-E24-DW1-A
Renesas Electronics
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1 | The µPD48576209F1 is a 67, 108, 864-word by 9 bit, the µPD48576218F1 is a 33, 554, 432 word by 18 bit and the µPD48576236F1 is a 16, 777, 216 word by 36 bit synchronous double data rate Low Latency RAM fabricated with advanced CMOS technology using one-transistor memory cell. The µPD48576209F1, µPD48576218F1 and µPD48576236F1 integrate unique synchronous peripheral circuitry and a burst counter. All input registers controlled by an input clock pair (CK and CK#) are latched on the positive edge of CK and CK# | BGA | UPD48576236F1-E24-DW1-A |
3
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPD48576218F1-E18-DW1-A
Renesas Electronics
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1 | The µPD48576209F1 is a 67, 108, 864-word by 9 bit, the µPD48576218F1 is a 33, 554, 432 word by 18 bit and the µPD48576236F1 is a 16, 777, 216 word by 36 bit synchronous double data rate Low Latency RAM fabricated with advanced CMOS technology using one-transistor memory cell. The µPD48576209F1, µPD48576218F1 and µPD48576236F1 integrate unique synchronous peripheral circuitry and a burst counter. All input registers controlled by an input clock pair (CK and CK#) are latched on the positive edge of CK and CK# | BGA | UPD48576218F1-E18-DW1-A |
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UPD48576209F1-E24-DW1-A
Renesas Electronics
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1 | The µPD48576209F1 is a 67, 108, 864-word by 9 bit, the µPD48576218F1 is a 33, 554, 432 word by 18 bit and the µPD48576236F1 is a 16, 777, 216 word by 36 bit synchronous double data rate Low Latency RAM fabricated with advanced CMOS technology using one-transistor memory cell. The µPD48576209F1, µPD48576218F1 and µPD48576236F1 integrate unique synchronous peripheral circuitry and a burst counter. All input registers controlled by an input clock pair (CK and CK#) are latched on the positive edge of CK and CK# | BGA | UPD48576209F1-E24-DW1-A |
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UPD48576236F1-E18-DW1-A
Renesas Electronics
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1 | The µPD48576209F1 is a 67, 108, 864-word by 9 bit, the µPD48576218F1 is a 33, 554, 432 word by 18 bit and the µPD48576236F1 is a 16, 777, 216 word by 36 bit synchronous double data rate Low Latency RAM fabricated with advanced CMOS technology using one-transistor memory cell. The µPD48576209F1, µPD48576218F1 and µPD48576236F1 integrate unique synchronous peripheral circuitry and a burst counter. All input registers controlled by an input clock pair (CK and CK#) are latched on the positive edge of CK and CK# | BGA | UPD48576236F1-E18-DW1-A |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPD48576218F1-E24-DW1-A
Renesas Electronics
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1 | The µPD48576209F1 is a 67, 108, 864-word by 9 bit, the µPD48576218F1 is a 33, 554, 432 word by 18 bit and the µPD48576236F1 is a 16, 777, 216 word by 36 bit synchronous double data rate Low Latency RAM fabricated with advanced CMOS technology using one-transistor memory cell. The µPD48576209F1, µPD48576218F1 and µPD48576236F1 integrate unique synchronous peripheral circuitry and a burst counter. All input registers controlled by an input clock pair (CK and CK#) are latched on the positive edge of CK and CK# | BGA | UPD48576218F1-E24-DW1-A |
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Download Model | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPD482234G5M-80L
Renesas Electronics Corporation
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1 | Video DRAM, 256KX8, CMOS, PDSO40 | UPD482234G5M-80L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPD488448FB-C80-45-DQ2
Elpida Memory Inc
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1 | Rambus DRAM, 8MX16, 45ns, MOS, PBGA62 | UPD488448FB-C80-45-DQ2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPD488488FB-C71-45-DP2
Renesas Electronics Corporation
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1 | Rambus DRAM, 8MX18, CMOS, PBGA62 | UPD488488FB-C71-45-DP2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPD482445G5-60
Renesas Electronics Corporation
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1 | Memory Circuit, 256KX16, CMOS, PDSO70 | UPD482445G5-60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPD482234G5-70
Renesas Electronics Corporation
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1 | Memory Circuit, 256KX8, CMOS, PDSO40 | UPD482234G5-70 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPD488448FB-C71-45-DQ2
Elpida Memory Inc
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1 | Rambus DRAM, 8MX16, 45ns, MOS, PBGA62 | UPD488448FB-C71-45-DQ2 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPD485506G5-25-7JF-A
NEC Electronics Group
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1 | FIFO, 5KX16, 18ns, Synchronous, CMOS, PDSO44 | UPD485506G5-25-7JF-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPD488170LVN-A50-9
Renesas Electronics Corporation
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1 | Rambus DRAM, 2MX9, CMOS | UPD488170LVN-A50-9 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPD482234VF-80
Renesas Electronics Corporation
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1 | Memory Circuit, 256KX8, CMOS, PZIP40 | UPD482234VF-80 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPD482235LE-80
NEC Electronics America Inc
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1 | Video DRAM, 256KX8, 80ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-40 | UPD482235LE-80 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPD482445G5-70-7JG
Elpida Memory Inc
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1 | Video DRAM, 256KX16, 70ns, CMOS, PDSO68 | UPD482445G5-70-7JG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPD488170VN-A50-9
Renesas Electronics Corporation
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1 | Rambus DRAM, 2MX9, CMOS | UPD488170VN-A50-9 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPD48576236FF-E33-DW1
Renesas Electronics Corporation
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1 | DDR1 DRAM, 16MX36, 0.35ns, CMOS, PBGA144 | UPD48576236FF-E33-DW1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPD482235G5M-70L
Renesas Electronics Corporation
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1 | Video DRAM, 256KX8, CMOS, PDSO40 | UPD482235G5M-70L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPD4811650GF-A80-9BT
NEC Electronics Group
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1 | Synchronous Graphics RAM, 512KX32, 6.5ns, CMOS, PQFP100 | UPD4811650GF-A80-9BT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPD48576236FF-E33-DW1-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | DDR1 DRAM, 16MX36, 0.35ns, CMOS, PBGA144 | UPD48576236FF-E33-DW1-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPD485506G5-25-7JF
Renesas Electronics Corporation
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1 | FIFO, 5KX16, 18ns, Synchronous, CMOS, PDSO44 | UPD485506G5-25-7JF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPD488385-C80-45BF1
Renesas Electronics Corporation
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1 | Rambus DRAM, 4MX18, CMOS, PBGA74 | UPD488385-C80-45BF1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPD482445LGW-60
Renesas Electronics Corporation
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1 | Memory Circuit, 256KX16, CMOS, PDSO64 | UPD482445LGW-60 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UPD488385-C80-40BF1
Renesas Electronics Corporation
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1 | Rambus DRAM, 4MX18, CMOS, PBGA74 | UPD488385-C80-40BF1 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||