Showing 25 of 1369 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SC4265JCUR
Renesas Electronics Corporation
|
1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN | 2SC4265JCUR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SC4210
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236 | 2SC4210 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SC4262IP-TL
Hitachi Ltd
|
1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN | 2SC4262IP-TL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SC4299
Allegro MicroSystems LLC
|
1 | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2SC4299 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SC4229UI-UL
Hitachi Ltd
|
1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN | 2SC4229UI-UL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SC4226
Shikues Semiconductor
|
1 | External bipolar process, high power gain, low noise, SOT-323 package, VHF/UHF low noise amplifier. | 2SC4226 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SC4278F31/DE
ROHM Semiconductor
|
1 | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-247, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2SC4278F31/DE |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SC4260TI-UR
Renesas Electronics Corporation
|
1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN | 2SC4260TI-UR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SC4278E
Inchange Semiconductor Company Ltd
|
1 | Power Bipolar Transistor | 2SC4278E |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SC4215-YTE85L
Toshiba America Electronic Components
|
1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN | 2SC4215-YTE85L |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SC4207-BL
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon | 2SC4207-BL |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SC4210-Y(TE85L,F)
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | 2SC4210-Y(TE85L,F) |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SC4272F1
SANYO Semiconductor Co Ltd
|
1 | Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-243 | 2SC4272F1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SC4221N
onsemi
|
1 | Transistor | 2SC4221N |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SC4226-B
Galaxy Microelectronics
|
1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | 2SC4226-B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SC4258-13-1B
Mitsubishi Electric
|
1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | 2SC4258-13-1B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SC4220M
SANYO Semiconductor Co Ltd
|
1 | Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2SC4220M |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SC4215RTE85L
Toshiba America Electronic Components
|
1 | TRANSISTOR VHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP RF Small Signal | 2SC4215RTE85L |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SC4251TE85L
Toshiba America Electronic Components
|
1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, NPN | 2SC4251TE85L |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SC4224-M
SANYO Electric Co Ltd
|
1 | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2SC4224-M |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SC4234-4012
Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd
|
1 | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2SC4234-4012 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SC4294
Inchange Semiconductor Company Ltd
|
1 | Power Bipolar Transistor | 2SC4294 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SC4225-R2
NEC Compound Semiconductor Devices Ltd
|
1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN | 2SC4225-R2 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SC4261QI-TR
Renesas Electronics Corporation
|
1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN | 2SC4261QI-TR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SC4258-13-1D
Mitsubishi Electric
|
1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | 2SC4258-13-1D |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||