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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1113TE16L
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR 3 A, 120 V, 0.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power | 2SK1113TE16L |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1103TMG
Panasonic Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET | 2SK1103TMG |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1119(F)
Toshiba
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1 | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB | 2SK1119(F) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK11944101
Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd
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1 | Si, SMALL SIGNAL, FET | 2SK11944101 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1133-AT
Renesas Electronics Corporation
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,50V V(BR)DSS,100MA I(D),SOT-346 | 2SK1133-AT |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1135
Renesas Electronics Corporation
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,250V V(BR)DSS,15A I(D),TO-247VAR | 2SK1135 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1118
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR 6 A, 600 V, 1.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220IS, TO-220IS, 3 PIN, FET General Purpose Power | 2SK1118 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1153
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8ohm, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 2SK1153 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1156-E
Renesas Electronics
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1 | The 2SK1156 is a Silicon N Channel MOSFET. | 2SK1156-E |
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2SK1152STR-E
Renesas Electronics
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1 | The 2SK1152S is a Nch Single Power Mosfet 500V 1.5A 6000Mohm DPAK(S)/To-252. | 2SK1152STR-E |
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2SK112
InterFET Corporation
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-18 | 2SK112 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1117
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR 6 A, 600 V, 1.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purpose Power | 2SK1117 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK118-R
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR 0.75 mA, 50 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, 2-4E1B, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal | 2SK118-R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1122-A
NEC Electronics Group
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1 | Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1122-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1164-E
Renesas Electronics Corporation
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1 | 11A, 500V, 0.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, SC-65, TO-3P, 3 PIN | 2SK1164-E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1195-4071
Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 230V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1195-4071 |
0
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2SK1199
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1199 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1109J32
Renesas Electronics Corporation
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1 | 10mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, SC-59, 3 PIN | 2SK1109J32 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1103TSK
Panasonic Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET | 2SK1103TSK |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1104Q
Panasonic Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, SC-72, 3 PIN | 2SK1104Q |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1169-E
Renesas Electronics
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1 | The 2SK1169 is a Silicon N Channel MOSFET. | 2SK1169-E |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1151(S)-(3)
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | 2SK1151(S)-(3) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1112TE16L
Toshiba America Electronic Components
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1 | TRANSISTOR 5 A, 60 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power | 2SK1112TE16L |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1163
Hitachi Ltd
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1 | Power Field-Effect Transistor, 0.7ohm, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN | 2SK1163 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2SK1152L
Renesas Electronics Corporation
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1 | 1.5A, 500V, 6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3 | 2SK1152L |
0
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