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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1022V
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 10200ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1022V |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1052
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 10500ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1052 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1183V
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 118000ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1183V |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1823
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 182000ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1823 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1211V
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 1210ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1211V |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1400V
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 140ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1400V |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1473
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 147000ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1473 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1802V
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 18000ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1802V |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1241
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 1240ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1241 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1403
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 140000ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1403 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1431
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 1430ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1431 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1150V
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 115ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1150V |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1911
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 1910ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1911 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1823V
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 182000ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1823V |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1133
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 113000ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1133 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1653
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 165000ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1653 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1332
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 13300ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1332 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1580
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 158ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1580 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1373V
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 137000ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1373V |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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K6L1016C3B-TF100
Samsung Semiconductor
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1 | Standard SRAM, 64KX16, 100ns, CMOS, PDSO44 | K6L1016C3B-TF100 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1503
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 150000ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1503 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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K6T4016U3B-TF100
Samsung Semiconductor
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1 | Standard SRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PDSO44 | K6T4016U3B-TF100 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1303
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 130000ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1303 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1052V
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 10500ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1052V |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TSN3BTF1240V
Tateyama Kagaku Group
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.063W, 124ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | TSN3BTF1240V |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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