Showing 25 of 435 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8075SN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 800V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8075SN |
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APT80GP60JD3
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 68A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | APT80GP60JD3 |
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APT801R4AN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT801R4AN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT80SM120J
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 1200V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET | APT80SM120J |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8024B2VFR
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 800V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8024B2VFR |
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APT801R4CN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 6.5A, 800V, 1.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA, TO-254, 3 PIN | APT801R4CN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT802RBN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT802RBN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8030FN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8030FN |
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APT8030FN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,800V V(BR)DSS,29A I(D),F-PACK SIP | APT8030FN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8014JLL
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 800V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8014JLL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT80GP60J
Advanced Power Technology
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1 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 151A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | APT80GP60J |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT802RDN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,800V V(BR)DSS,6A I(D),CHIP / DIE | APT802RDN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8052BLL
Microchip Technology Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 800V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT8052BLL |
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APT8016DFN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 47A I(D), 800V, 0.16ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8016DFN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT801R2BNR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 800V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | APT801R2BNR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8030CFN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 29A, 800V, 0.3ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | APT8030CFN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8030CFN
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 800V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8030CFN |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8024LVFR
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 800V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT8024LVFR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8030LVRG
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 800V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | APT8030LVRG |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT80GA60B
Microchip Technology Inc
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1 | IGBT PT MOS 8 Single 600 V 80 A TO-247 | APT80GA60B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8090BN-GULLWING
Advanced Power Technology
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1 | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 800V, 0.9ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8090BN-GULLWING |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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APT8090BN-GULLWING
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 12A, 800V, 0.9ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247, TO-247, 3 PIN | APT8090BN-GULLWING |
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APT8043BLL
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 800V, 0.43ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | APT8043BLL |
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APT802R4CN
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | 4.5A, 800V, 2.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-254AA, TO-254, 3 PIN | APT802R4CN |
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APT8030B2VR
Microsemi Corporation (now Microchip)
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 800V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | APT8030B2VR |
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