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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CL32RR82DICF
Samsung Electro-Mechanics
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 60.9756% +Tol, 60.9756% -Tol, R2H, -220ppm/Cel TC, 8.2e-07uF, Surface Mount, 1210 | CL32RR82DICF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CL32P1R3DICF
Samsung Electro-Mechanics
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 38.4615% +Tol, 38.4615% -Tol, P2H, -150ppm/Cel TC, 0.0000013uF, Surface Mount, 1210 | CL32P1R3DICF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CL55R3R6DICF
Samsung Electro-Mechanics
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 13.8889% +Tol, 13.8889% -Tol, R2H, -220ppm/Cel TC, 0.0000036uF, Surface Mount, 2220 | CL55R3R6DICF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CL32CR62DICF
Samsung Electro-Mechanics
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 80.6452% +Tol, 80.6452% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.00000062uF, Surface Mount, 1210 | CL32CR62DICF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CL55T1R2DICF
Samsung Electro-Mechanics
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 41.6667% +Tol, 41.6667% -Tol, T2H, -470ppm/Cel TC, 0.0000012uF, Surface Mount, 2220 | CL55T1R2DICF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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X3DICFPTNF-40.000000
Taitien Electronics Co Ltd
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1 | Parallel - 3Rd Overtone Quartz Crystal, 40MHz Nom | X3DICFPTNF-40.000000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CL32T9R1DICF
Samsung Electro-Mechanics
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 5.4945% +Tol, 5.4945% -Tol, T2H, -470ppm/Cel TC, 0.0000091uF, Surface Mount, 1210 | CL32T9R1DICF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CL55T010DICF
Samsung Electro-Mechanics
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 50% +Tol, 50% -Tol, T2H, -470ppm/Cel TC, 0.000001uF, Surface Mount, 2220 | CL55T010DICF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CL43R2R4DICF
Samsung Electro-Mechanics
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 20.8333% +Tol, 20.8333% -Tol, R2H, -220ppm/Cel TC, 0.0000024uF, Surface Mount, 1812 | CL43R2R4DICF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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UR5HCCDI-CFB
Semtech Corporation
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1 | Microprocessor Circuit, CMOS, PQFP44 | UR5HCCDI-CFB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1933W-A-DI-C-FA-10-B
EMCORE Corporation
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1 | Fiber Optic Device, | 1933W-A-DI-C-FA-10-B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CL55R1R2DICF
Samsung Electro-Mechanics
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 41.6667% +Tol, 41.6667% -Tol, R2H, -220ppm/Cel TC, 0.0000012uF, Surface Mount, 2220 | CL55R1R2DICF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CL55C5R1DICF
Samsung Electro-Mechanics
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 9.8039% +Tol, 9.8039% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.0000051uF, Surface Mount, 2220 | CL55C5R1DICF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CL55T6R2DICF
Samsung Electro-Mechanics
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 8.0645% +Tol, 8.0645% -Tol, T2H, -470ppm/Cel TC, 0.0000062uF, Surface Mount, 2220 | CL55T6R2DICF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CL32R3R9DICF
Samsung Electro-Mechanics
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 12.8205% +Tol, 12.8205% -Tol, R2H, -220ppm/Cel TC, 0.0000039uF, Surface Mount, 1210 | CL32R3R9DICF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CL43R6R8DICF
Samsung Electro-Mechanics
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 7.3529% +Tol, 7.3529% -Tol, R2H, -220ppm/Cel TC, 0.0000068uF, Surface Mount, 1812 | CL43R6R8DICF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FP-D-660-1DI-C-FXXX
Laser Components USA Inc
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1 | Laser Diode Module Emitter | FP-D-660-1DI-C-FXXX |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CL32S030DICF
Samsung Electro-Mechanics
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 16.6667% +Tol, 16.6667% -Tol, S2H, -330ppm/Cel TC, 0.000003uF, Surface Mount, 1210 | CL32S030DICF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CL43T6R8DICF
Samsung Electro-Mechanics
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 7.3529% +Tol, 7.3529% -Tol, T2H, -470ppm/Cel TC, 0.0000068uF, Surface Mount, 1812 | CL43T6R8DICF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1933R-B-DI-C-FA-06-N
EMCORE Corporation
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1 | DFB Laser Diode Emitter, 1300nm Min, 1320nm Max, FC/APC Connector, Panel Mount, Through Hole Mount | 1933R-B-DI-C-FA-06-N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CL43PR82DICF
Samsung Electro-Mechanics
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 60.9756% +Tol, 60.9756% -Tol, P2H, -150ppm/Cel TC, 0.00000082uF, Surface Mount, 1812 | CL43PR82DICF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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1933F-B-DI-C-FA-09-N
EMCORE Corporation
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1 | DFB Laser Diode Emitter | 1933F-B-DI-C-FA-09-N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CL55C9R1DICF
Samsung Electro-Mechanics
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 5.4945% +Tol, 5.4945% -Tol, C0G, 30ppm/Cel TC, 0.0000091uF, Surface Mount, 2220 | CL55C9R1DICF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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X3DICFSANF-24.000000
Taitien Electronics Co Ltd
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1 | Parallel - Fundamental Quartz Crystal, 24MHz Nom | X3DICFSANF-24.000000 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CL55R1R8DICF
Samsung Electro-Mechanics
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1 | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 1000V, 27.7778% +Tol, 27.7778% -Tol, R2H, -220ppm/Cel TC, 0.0000018uF, Surface Mount, 2220 | CL55R1R8DICF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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