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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AESG221M2CB
Hitano Enterprise Corp
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Aluminum (wet), 160V, 20% +Tol, 20% -Tol, 220uF, Through Hole Mount, RADIAL LEADED | AESG221M2CB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NESG220034-A
NEC Electronics Group
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN | NESG220034-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NESG220034-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon Germanium, NPN | NESG220034-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AESG220M2VB
Hitano Enterprise Corp
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Aluminum (wet), 350V, 20% +Tol, 20% -Tol, 22uF, Through Hole Mount, RADIAL LEADED | AESG220M2VB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NESG220034-FB-A
NEC Electronics Group
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN | NESG220034-FB-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AESG220M2EB
Hitano Enterprise Corp
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Aluminum (wet), 250V, 20% +Tol, 20% -Tol, 22uF, Through Hole Mount, RADIAL LEADED | AESG220M2EB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NESG220034-T1-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon Germanium, NPN | NESG220034-T1-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NESG220033-T1B-FB-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon Germanium, NPN | NESG220033-T1B-FB-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NESG220033-T1B-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon Germanium, NPN | NESG220033-T1B-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AESG220M2DB
Hitano Enterprise Corp
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Aluminum (wet), 200V, 20% +Tol, 20% -Tol, 22uF, Through Hole Mount, RADIAL LEADED | AESG220M2DB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NESG220034-T1-A-FB
Renesas Electronics Corporation
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor | NESG220034-T1-A-FB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AESG221M2DB
Hitano Enterprise Corp
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Aluminum (wet), 200V, 20% +Tol, 20% -Tol, 220uF, Through Hole Mount, RADIAL LEADED | AESG221M2DB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NESG220034-T1-A
NEC Electronics Group
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN | NESG220034-T1-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AESG220M2CB
Hitano Enterprise Corp
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Aluminum (wet), 160V, 20% +Tol, 20% -Tol, 22uF, Through Hole Mount, RADIAL LEADED | AESG220M2CB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NESG220033-FB-A
Renesas Electronics Corporation
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon Germanium, NPN | NESG220033-FB-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NESG220034-T1FB-A
NEC Electronics Group
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN | NESG220034-T1FB-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NESG220033-A-FB
Renesas Electronics Corporation
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor | NESG220033-A-FB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NESG220033-T1B-A-FB
Renesas Electronics Corporation
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor | NESG220033-T1B-A-FB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NESG220033-T1BFB-A
NEC Electronics Group
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN | NESG220033-T1BFB-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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NESG220033-FB-A
NEC Electronics Group
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1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN | NESG220033-FB-A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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AESG220M2GB
Hitano Enterprise Corp
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Aluminum (wet), 400V, 20% +Tol, 20% -Tol, 22uF, Through Hole Mount, RADIAL LEADED | AESG220M2GB |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SG226M250AL3AAPLP
KEMET Corporation
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1 | Aluminum Electrolytic Capacitor, Aluminum (wet) | SG226M250AL3AAPLP |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||