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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRKKF71-10EP
International Rectifier
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1 | Silicon Controlled Rectifier, 158A I(T)RMS, 71000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, POWER, INT-A-PAK-5 | IRKKF71-10EP |
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IRKHF71-10HK
International Rectifier
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1 | Silicon Controlled Rectifier, 158A I(T)RMS, 71000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, POWER, INT-A-PAK-5 | IRKHF71-10HK |
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IRKNF71-10HK
International Rectifier
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1 | Silicon Controlled Rectifier, 158A I(T)RMS, 71000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, POWER, INT-A-PAK-5 | IRKNF71-10HK |
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56F711-015
Spectrum Control
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1 | D Subminiature Connector, 15 Contact(s), Male, Solder Terminal, ROHS COMPLIANT | 56F711-015 |
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S1F71100M0A0
Seiko Epson Corporation
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1 | Switching Controller, 250kHz Switching Freq-Max, CMOS, PDSO8, PLASTIC, SOP4-8 | S1F71100M0A0 |
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IRKUF71-10FK
International Rectifier
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1 | Silicon Controlled Rectifier, 158A I(T)RMS, 71000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 2 Element, POWER, INT-A-PAK-7 | IRKUF71-10FK |
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RMF7-1102-FBQ
RCD Components Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Oxide Film, 7W, 11000ohm, 500V, 1% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, | RMF7-1102-FBQ |
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IRHF7110SCS
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, CERAMIC, MODIFIED TO-39, 3 PIN | IRHF7110SCS |
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IRF711-005
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 350V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF711-005 |
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IRKNF71-10EP
International Rectifier
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1 | Silicon Controlled Rectifier, 158A I(T)RMS, 71000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, POWER, INT-A-PAK-5 | IRKNF71-10EP |
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IRHF7110SCV
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, CERAMIC, MODIFIED TO-39, 3 PIN | IRHF7110SCV |
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IRKKF71-10EK
International Rectifier
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1 | Silicon Controlled Rectifier, 158A I(T)RMS, 71000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, POWER, INT-A-PAK-5 | IRKKF71-10EK |
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IRKUF71-10HK
International Rectifier
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1 | Silicon Controlled Rectifier, 158A I(T)RMS, 71000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 2 Element, POWER, INT-A-PAK-7 | IRKUF71-10HK |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRKLF71-10GJ
International Rectifier
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1 | Silicon Controlled Rectifier, 158A I(T)RMS, 71000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, POWER, INT-A-PAK-5 | IRKLF71-10GJ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRKKF71-10CJ
International Rectifier
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1 | Silicon Controlled Rectifier, 158A I(T)RMS, 71000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, POWER, INT-A-PAK-5 | IRKKF71-10CJ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CAF71102JLF
TT Electronics Resistors
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1 | Fixed Resistor, Metal Oxide Film, 7W, 11000ohm, 500V, 5% +/-Tol, 350ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED | CAF71102JLF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRKLF71-10HP
International Rectifier
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1 | Silicon Controlled Rectifier, 158A I(T)RMS, 71000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, POWER, INT-A-PAK-5 | IRKLF71-10HP |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRKKF71-10HK
International Rectifier
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1 | Silicon Controlled Rectifier, 158A I(T)RMS, 71000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, POWER, INT-A-PAK-5 | IRKKF71-10HK |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRKUF71-10EJ
International Rectifier
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1 | Silicon Controlled Rectifier, 158A I(T)RMS, 71000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 2 Element, POWER, INT-A-PAK-7 | IRKUF71-10EJ |
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IRF711-010
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 350V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, | IRF711-010 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRKUF71-10FJ
International Rectifier
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1 | Silicon Controlled Rectifier, 158A I(T)RMS, 71000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 2 Element, POWER, INT-A-PAK-7 | IRKUF71-10FJ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRKKF71-10DK
International Rectifier
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1 | Silicon Controlled Rectifier, 158A I(T)RMS, 71000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, POWER, INT-A-PAK-5 | IRKKF71-10DK |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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910F-7-110-01
Methode Electronics Inc
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1 | Board Connector, 10 Contact(s), 1 Row(s), Male, Right Angle, 0.1 inch Pitch, Solder Terminal, Receptacle | 910F-7-110-01 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF711-004PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 350V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF711-004PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRKNF71-10GP
International Rectifier
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1 | Silicon Controlled Rectifier, 158A I(T)RMS, 71000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, POWER, INT-A-PAK-5 | IRKNF71-10GP |
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