Showing 25 of 325 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3710-003PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 100V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3710-003PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3711S
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 20V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF3711S |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3710SPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 57A I(D), 100V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRF3710SPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3708PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3708PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3710-031
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 100V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3710-031 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3709ZSPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF3709ZSPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3706LTRR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 20V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRF3706LTRR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3717PBF-1
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRF3717PBF-1 |
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IRF3710PBF
VBsemi Electronics Co Ltd
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1 | N-Channel 100-V MOSFET with 70 A continuous drain current, 0.017 ohm drain-source on-resistance at 10 V gate voltage, 175 °C maximum junction temperature, and TO-220AB package for high-efficiency power applications. | IRF3710PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3709ZTRR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3709ZTRR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3710-011PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 100V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3710-011PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3711ZCSPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 20V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF3711ZCSPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3710-010
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 100V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3710-010 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3703
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 210A I(D), 30V, 0.0039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3703 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3704Z
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 20V, 0.0079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3704Z |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3710ZS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 59A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRF3710ZS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3710L
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 57A I(D), 100V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA | IRF3710L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3709ZSTRL
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF3709ZSTRL |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3710-017PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 100V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3710-017PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3709ZSPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 87A I(D), 30V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF3709ZSPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3704ZSTRR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 20V, 0.0079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF3704ZSTRR |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3709ZS
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.0063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF3709ZS |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3710-015PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 100V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3710-015PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3710-015
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 100V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF3710-015 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF3706SPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 20V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF3706SPBF |
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