Showing 25 of 383 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF7201
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 30V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | IRF7201 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF721-002PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 3.3A, 350V, 1.8ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF721-002PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF720
National Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF720 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF720A
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF720A |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF723-002PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 350V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF723-002PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF720-001
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF720-001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF721
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF721 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF723-004
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 350V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF723-004 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF722-005
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 400V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF722-005 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF721-011
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 350V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF721-011 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF720J69Z
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF720J69Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF723-003PBF
Infineon Technologies AG
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1 | 2.8A, 350V, 2.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET | IRF723-003PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF722
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 400V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF722 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF721
New Jersey Semiconductor Products Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 350V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF721 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF720AF
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF720AF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF720UA
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF720UA |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF721-005
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 350V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF721-005 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF720LPBF
Vishay Intertechnologies
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF720LPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF72016
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF72016 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF723-011PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 350V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF723-011PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF720-010
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF720-010 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF720AJ
Motorola Semiconductor Products
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF720AJ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF720-015
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF720-015 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF721-002PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 350V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF721-002PBF |
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IRF7201PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 30V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | IRF7201PBF |
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