Showing 25 of 904 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9630
Thomson Consumer Electronics
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1 | Transistor | IRF9630 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9620-003PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9620-003PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9633-001
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 150V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9633-001 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9621-005
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 150V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9621-005 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9622-010
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9622-010 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9620-018
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9620-018 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9621-012
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 150V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9621-012 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9631
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 150V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9631 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9640-005PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9640-005PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9612-005
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 200V, 4.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9612-005 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9630STRR
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB | IRF9630STRR |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9622-004
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9622-004 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9632-011PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9632-011PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9630-009
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9630-009 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9623
Intersil Corporation
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1 | Transistor | IRF9623 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9622-010PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9622-010PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9621-002PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 150V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9621-002PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9630PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9630PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9641-004
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 150V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9641-004 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9641-004PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 150V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9641-004PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9612-005
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 200V, 4.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9612-005 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9611PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.75A I(D), 150V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9611PBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9620-019
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF9620-019 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9633-011
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 150V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9633-011 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF9632-013
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF9632-013 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||