Showing 25 of 353 results
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFR9210PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 200V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3 | IRFR9210PBF |
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IRFR9N20DTRL
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.4A I(D), 200V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3 | IRFR9N20DTRL |
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IRFR9010TRLPBF
Vishay Siliconix
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1 | TRANSISTOR 5.3 A, 50 V, 0.5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3, FET General Purpose Power | IRFR9010TRLPBF |
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IRFR9210TRLPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 200V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3 | IRFR9210TRLPBF |
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IRFR9220TM
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Transistor | IRFR9220TM |
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IRFR9110
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | IRFR9110 |
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IRFR9025
Infineon Technologies AG
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1 | Transistor, | IRFR9025 |
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IRFR9310TR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 400V, 7ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR9310TR |
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IRFR9024
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 60V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3 | IRFR9024 |
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IRFR9120NTRR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 100V, 0.48ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3 | IRFR9120NTRR |
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IRFR9210TR
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 200V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | IRFR9210TR |
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IRFR9024NTRL
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 55V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3 | IRFR9024NTRL |
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IRFR9024NCTRL
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3 | IRFR9024NCTRL |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFR9020
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.9A I(D), 50V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3 | IRFR9020 |
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IRFR9020
Vishay
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9.9A I(D), 50V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3 | IRFR9020 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFR9020TRPBF
Vishay
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1 | Vishay IRFR9020TRPBF P-channel MOSFET Transistor, 9.9 A, -50 V, 3-Pin TO-252 | IRFR9020TRPBF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFR9024TRRPBF
Vishay
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1 | TRANSISTOR 8.8 A, 60 V, 0.28 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3, FET General Purpose Power | IRFR9024TRRPBF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFR9024TRPBF
Vishay
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1 | TRANSISTOR 8.8 A, 60 V, 0.28 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3, FET General Purpose Power | IRFR9024TRPBF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFR9024NPBF
Infineon
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1 | MOSFET P-CH 55V 11A DPAK | IRFR9024NPBF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFR9024NTRRPBF
Infineon
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 55V, 0.175ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3 | IRFR9024NTRRPBF |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFR9110
Vishay
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3 | IRFR9110 |
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Build or Request | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRFR9110TRLPBF
Vishay
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 100V, 1.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, | IRFR9110TRLPBF |
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IRFR9014TRLPBF
Vishay
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3 | IRFR9014TRLPBF |
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IRFR9014TRLPBF
Vishay
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, ROHS COMPLIANT, DPAK-3 | IRFR9014TRLPBF |
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IRFR9024TR
Vishay
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1 | Transistor | IRFR9024TR |
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