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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM53064PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM53064PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM54Z60SCS
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRHM54Z60SCS |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM57260D
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM57260D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM53160D
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM53160D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM57260SEUPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM57260SEUPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM58064D
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM58064D |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM53160
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM53160 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM58260
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM58260 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM5260
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRHM5260 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM57260SEU
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM57260SEU |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM54160UPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM54160UPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM53260DPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM53260DPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM53160DPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM53160DPBF |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM54260PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 200V, 0.049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM54260PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM53160PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | IRHM53160PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM53064U
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM53064U |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRHM57160UPBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRHM57160UPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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