Showing 25 of 3578 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2N5555TRELEADFREE
Central Semiconductor Corp
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-92 | 2N5555TRELEADFREE |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1901MNV2565FKN5550
Fenghua (HK) Electronics Ltd
|
1 | CAP,AL2O3,900UF,330VDC,10% -TOL,20% +TOL | 1901MNV2565FKN5550 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1N5551D3A-JQRS.GRPC
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
|
1 | 3A, 440V, SILICON, RECTIFIER DIODE, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DLCC3, VARIANT A, 2 PIN | 1N5551D3A-JQRS.GRPC |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2151MNV1534FWN555P
Fenghua (HK) Electronics Ltd
|
1 | CAP,AL2O3,150UF,330VDC,10% -TOL,20% +TOL | 2151MNV1534FWN555P |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
X345-1(N)5.5-5-100
ASC Capacitors
|
1 | Film Capacitor, Polyester And Polypropylene, 5% +Tol, 5% -Tol, 5.5uF, Chassis Mount, RADIAL LEADED | X345-1(N)5.5-5-100 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1151MNV1341FWN555B
Fenghua (HK) Electronics Ltd
|
1 | CAP,AL2O3,150UF,330VDC,10% -TOL,20% +TOL | 1151MNV1341FWN555B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
CPD06-1N5550-WN
AEM Inc
|
1 | Rectifier Diode | CPD06-1N5550-WN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1N5550D3B-JQRS.GCDM
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
|
1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon | 1N5550D3B-JQRS.GCDM |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2141MNV1338FWN555M
Fenghua (HK) Electronics Ltd
|
1 | CAP,AL2O3,140UF,330VDC,10% -TOL,20% +TOL | 2141MNV1338FWN555M |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1N5550BK
Central Semiconductor Corp
|
1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon | 1N5550BK |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2N5551-J05Z
Texas Instruments
|
1 | 200mA, 160V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR | 2N5551-J05Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1N5550US
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon | 1N5550US |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2800MNV1326FWN555B
Fenghua (HK) Electronics Ltd
|
1 | CAP,AL2O3,80UF,330VDC,10% -TOL,20% +TOL | 2800MNV1326FWN555B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
8221MNV1833FWN5550
Fenghua (HK) Electronics Ltd
|
1 | CAP,AL2O3,220UF,330VDC,10% -TOL,20% +TOL | 8221MNV1833FWN5550 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
8151MNV1534FWN555M
Fenghua (HK) Electronics Ltd
|
1 | CAP,AL2O3,150UF,330VDC,10% -TOL,20% +TOL | 8151MNV1534FWN555M |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
JANTX1N5554
Micross Components
|
1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon | JANTX1N5554 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2161MNV1631FWN555M
Fenghua (HK) Electronics Ltd
|
1 | CAP,AL2O3,160UF,330VDC,10% -TOL,20% +TOL | 2161MNV1631FWN555M |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
8251MNV1837FWN555M
Fenghua (HK) Electronics Ltd
|
1 | CAP,AL2O3,250UF,330VDC,10% -TOL,20% +TOL | 8251MNV1837FWN555M |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1N5558COX.200
Microsemi Corporation (now Microchip)
|
1 | Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 175V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon | 1N5558COX.200 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1N5551D3A-JQRS.GCDE
TT Electronics Power and Hybrid / Semelab Limited
|
1 | 3A, 440V, SILICON, RECTIFIER DIODE, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DLCC3, VARIANT A, 2 PIN | 1N5551D3A-JQRS.GCDE |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
JANTXV1N5553US/TR
Microchip Technology Inc
|
1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon | JANTXV1N5553US/TR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
8181MNVAE36FWN555P
Fenghua (HK) Electronics Ltd
|
1 | CAP,AL2O3,180UF,330VDC,10% -TOL,20% +TOL | 8181MNVAE36FWN555P |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1800MNVAB27FWN555P
Fenghua (HK) Electronics Ltd
|
1 | CAP,AL2O3,80UF,330VDC,10% -TOL,20% +TOL | 1800MNVAB27FWN555P |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1201MNV1832FWN5550
Fenghua (HK) Electronics Ltd
|
1 | CAP,AL2O3,200UF,330VDC,10% -TOL,20% +TOL | 1201MNV1832FWN5550 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
1N5558COX.200
New England Semiconductor
|
1 | Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 175V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon | 1N5558COX.200 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||