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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STA022RF511KP10
Ever Ohms Technology Co Ltd
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Ruthenium Oxide, 0.063W, 511000ohm, 25V, 1% +/-Tol, 300ppm/Cel, Surface Mount, 0404, | STA022RF511KP10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STA034RF511KP05
Ever Ohms Technology Co Ltd
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Ruthenium Oxide, 0.1W, 511000ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | STA034RF511KP05 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF511
Freescale Semiconductor
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1 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,80V V(BR)DSS,5.6A I(D),TO-220AB | IRF511 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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QRA034RF511KP05
Ever Ohms Technology Co Ltd
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Ruthenium Oxide, 0.1W, 511000ohm, 50V, 1% +/-Tol, 200ppm/Cel, Surface Mount, 1206, | QRA034RF511KP05 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF511-004PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 80V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF511-004PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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STA034RF511RQ05
Ever Ohms Technology Co Ltd
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Ruthenium Oxide, 0.1W, 511ohm, 50V, 1% +/-Tol, 200ppm/Cel, Surface Mount, 1206, | STA034RF511RQ05 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF511-009
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 80V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF511-009 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF511-012
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 80V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF511-012 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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QRA022RF511RQ10
Ever Ohms Technology Co Ltd
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Ruthenium Oxide, 0.063W, 511ohm, 25V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 0404, | QRA022RF511RQ10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF511-013PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 80V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF511-013PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF511
Advanced Microelectronic Products Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF511 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF511
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 80V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF511 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF511-012PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 80V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF511-012PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF511-001PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 80V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF511-001PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF511-011PBF
Infineon Technologies AG
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 80V, 0.54ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | IRF511-011PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRF511
Supertex Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRF511 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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QRA064RF511KE05
Ever Ohms Technology Co Ltd
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Ruthenium Oxide, 0.25W, 511000ohm, 200V, 1% +/-Tol, 200ppm/Cel, Surface Mount, 2012, | QRA064RF511KE05 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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QRA064RF511RE05
Ever Ohms Technology Co Ltd
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Ruthenium Oxide, 0.25W, 511ohm, 200V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 2012, | QRA064RF511RE05 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RK1/2BLT52RF5113
KOA Speer Electronics Inc
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.5W, 511000ohm, 700V, 1% +/-Tol, 350ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED | RK1/2BLT52RF5113 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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YC164RF5111
Synton-Tech Corp
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1 | Array/Network Resistor, Isolated, Metal Glaze/thick Film, 0.1W, 5110ohm, 50V, 1% +/-Tol, -200,200ppm/Cel, 1206, | YC164RF5111 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MFR-12FRF-511K
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.167W, 511000ohm, 200V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED | MFR-12FRF-511K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RC0402FRF511K
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Glaze/thick Film, 0.0625W, 511000ohm, 50V, 1% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 0402 | RC0402FRF511K |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FMP200JRF511K
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 2W, 511000ohm, 500V, 5% +/-Tol, 100ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED | FMP200JRF511K |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMF-25JRF511K
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 0.25W, 511000ohm, 250V, 5% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, | MMF-25JRF511K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MMF1WSBRF511K
YAGEO Corporation
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1 | Fixed Resistor, Metal Film, 1W, 511000ohm, 350V, 0.1% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, | MMF1WSBRF511K |
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