Showing 25 of 722 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HCD660/ERFP20.0MHZ
Golledge Electronics Ltd
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1 | Sine Output Oscillator | HCD660/ERFP20.0MHZ |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP242
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP242 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP260
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 200V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | IRFP260 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP250R
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP250R |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP2N10L
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 100V, 1.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP2N10L |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP233
Samsung Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 150V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP233 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP21N60LPBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 600V, 0.32ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | IRFP21N60LPBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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HCD661/FRFP20.0MHZ
Golledge Electronics Ltd
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1 | HCMOS/TTL Output Clock Oscillator, 20MHz Nom | HCD661/FRFP20.0MHZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP27N60K
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 600V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IRFP27N60K |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CIR030RFP-28-15P-F80-VO
ITT Interconnect Solutions
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1 | MIL Series Connector, 35 Contact(s), Aluminum Alloy, Male, Crimp Terminal, Receptacle | CIR030RFP-28-15P-F80-VO |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP244
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 250V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP244 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP255R
Harris Semiconductor
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0 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP255R |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP2N12
Thomson Consumer Electronics
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | RFP2N12 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CIR03RFP28-11S-F80-VO
ITT Interconnect Solutions
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1 | MIL Series Connector, 22 Contact(s), Aluminum Alloy, Female, Crimp Terminal, Receptacle | CIR03RFP28-11S-F80-VO |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP240CF
National Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor | IRFP240CF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP2907PBF
International Rectifier
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1 | Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 75V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC | IRFP2907PBF |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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FRCIR03RFP-20-11P-F80-T54
ITT Interconnect Solutions
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1 | MIL Series Connector, 13 Contact(s), Aluminum Alloy, Male, Crimp Terminal, Receptacle | FRCIR03RFP-20-11P-F80-T54 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP2N15L
General Electric Solid State
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1 | Transistor | RFP2N15L |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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CIR030RFP-28-15S-F80-VO
ITT Interconnect Solutions
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1 | MIL Series Connector, 35 Contact(s), Aluminum Alloy, Female, Crimp Terminal, Receptacle | CIR030RFP-28-15S-F80-VO |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP260
IXYS Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 200V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD | IRFP260 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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RFP2N20L
Harris Semiconductor
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1 | Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 200V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | RFP2N20L |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP252
Intersil Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP252 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP241
National Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | IRFP241 |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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IRFP250
Fairchild Semiconductor Corporation
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1 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IRFP250 |
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IRFP254PBF
Vishay Siliconix
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1 | Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 250V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 | IRFP254PBF |
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