Showing 25 of 348 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
7311S-DF-505X-212.5M-NSA3345A
Nihon Dempa Kogyo Co Ltd
|
1 | LVPECL Output Clock Oscillator, 212.5MHz Nom | 7311S-DF-505X-212.5M-NSA3345A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
7311S-DF-505X-250M-NSA3345E
Nihon Dempa Kogyo Co Ltd
|
1 | LVPECL Output Clock Oscillator, 250MHz Nom | 7311S-DF-505X-250M-NSA3345E |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF533
Solitron Devices Inc
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET | SDF533 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF5N100JAASHD1B
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1000V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF5N100JAASHD1B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF5N100JAASHD1N
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1000V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF5N100JAASHD1N |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF5N100JABVHSN
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1000V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF5N100JABVHSN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TSDF-50-S-S
Samtec Inc
|
1 | Board Connector, 50 Contact(s), 1 Row(s), Female, 0.05 inch Pitch, Wire Terminal, Locking, Black Insulator | TSDF-50-S-S |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF5N100JAAXGU1N
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1000V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF5N100JAAXGU1N |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
ISDF50-7
Intertech Resources Inc
|
1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 50A, 700V V(RRM), Silicon | ISDF50-7 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF5N100JABSGD1N
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1000V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF5N100JABSGD1N |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF5N100JAAVHSN
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1000V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF5N100JAAVHSN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF50N40JAMWD1N
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 400V, 0.12ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF50N40JAMWD1N |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF510
Solitron Devices Inc
|
1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 2-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-71 | SDF510 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
TSDF53030XR
Telefunken Microelectronics Gmbh
|
1 | Tuner IC | TSDF53030XR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF5N100JAAVHSZ
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1000V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF5N100JAAVHSZ |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
FU-68SDF-510M01B
Mitsubishi Electric
|
1 | Modulator | FU-68SDF-510M01B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF5N100JAAEGU1Z
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1000V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF5N100JAAEGU1Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF50NA20GBPEU1Z
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 200V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF50NA20GBPEU1Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF5N100JAASGD1B
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1000V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF5N100JAASGD1B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF50NA20GBPESN
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 200V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF50NA20GBPESN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF50NA20GBPZD1Z
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 200V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF50NA20GBPZD1Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF5N100JAAVHU1Z
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1000V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF5N100JAAVHU1Z |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF5N100JABSGSN
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1000V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF5N100JABSGSN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF5N100JAAEGSN
Solitron Devices Inc
|
1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 1000V, 2.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF5N100JAAEGSN |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
SDF5
Solid State Devices Inc (SSDI)
|
1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 4.4A, Silicon | SDF5 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||