Showing 25 of 388 results
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N60JAAEHU1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF6N60JAAEHU1N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ISDF65-5
Intertech Resources Inc
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 65A, 500V V(RRM), Silicon | ISDF65-5 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ISDF65-10
Intertech Resources Inc
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 65A, 1000V V(RRM), Silicon | ISDF65-10 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N90JABSGD1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 900V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF6N90JABSGD1N |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N60JABEHD1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF6N60JABEHD1B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT36LSDF6472Y-10EXX
Micron Technology Inc
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1 | Synchronous DRAM Module, 64MX72, 6ns, CMOS, DMA168 | MT36LSDF6472Y-10EXX |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT16LSDF6464HG-13E
Micron Technology Inc
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1 | Synchronous DRAM Module, 64MX64, 5.4ns, CMOS, PDMA144 | MT16LSDF6464HG-13E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N90JAAVHD1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 900V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF6N90JAAVHD1Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N60JAAEHD1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF6N60JAAEHD1Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT18LSDF6472Y-13E
Micron Technology Inc
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1 | Synchronous DRAM Module, 64MX72, 5.4ns, CMOS, PDMA168 | MT18LSDF6472Y-13E |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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ISDF65-6
Intertech Resources Inc
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1 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 65A, 600V V(RRM), Silicon | ISDF65-6 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N90JABSGU1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 900V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF6N90JABSGU1B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N60JAAVGSB
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF6N60JAAVGSB |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT36LSDF6472G-10C
Micron Technology Inc
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1 | Synchronous DRAM Module, 64MX72, 6ns, CMOS, PDMA168 | MT36LSDF6472G-10C |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N90JAAVGSZ
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 900V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF6N90JAAVGSZ |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N60JAAEGU1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF6N60JAAEGU1B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N60JAAVGD1Z
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF6N60JAAVGD1Z |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N90JAAEGSN
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 900V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF6N90JAAEGSN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N90JAAXGSN
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 900V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF6N90JAAXGSN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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MT18LSDF6472G-133
Micron Technology Inc
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1 | Synchronous DRAM Module, 64MX72, 5.4ns, CMOS, PDMA168 | MT18LSDF6472G-133 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N60JAASHD1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF6N60JAASHD1B |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N60JAAXHSN
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF6N60JAAXHSN |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N90JAAXHD1N
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 900V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA | SDF6N90JAAXHD1N |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N90JABEGD1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 900V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF6N90JABEGD1B |
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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SDF6N90JABVGU1B
Solitron Devices Inc
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1 | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 900V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | SDF6N90JABVGU1B |
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