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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
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| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8003
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8003 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8038-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8038-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8089-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8089-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8111(T2LIBM2Q,M
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8111(T2LIBM2Q,M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8051-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | TPC8051-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8404
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 250V, 1.7ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8404 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8065-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8065-H(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8120(TE12L,V)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.0042ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8120(TE12L,V) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8A04-H(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8A04-H(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8302(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8302(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8107(TE12LQ)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | TPC8107(TE12LQ) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8133(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 40V, 0.018ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8133(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8051-H(TE12L,VM
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor | TPC8051-H(TE12L,VM |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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2R5TPC82M
SANYO Electric Co Ltd
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1 | Tantalum Capacitor, Tantalum (solid Polymer), 2.5V, 20% +Tol, 20% -Tol, 82uF, Surface Mount, 2312 | 2R5TPC82M |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8042(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8042(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8208
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 20V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8208 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8061-H(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.029ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8061-H(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8209
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8209 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8125(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8125(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8092
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 0.0111ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8092 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8206
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8206 |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8106-H(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8106-H(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8103(TE12L)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.023ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8103(TE12L) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8228-H(TE12L,Q)
Toshiba America Electronic Components
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1 | Small Signal Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8228-H(TE12L,Q) |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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TPC8006-H
Toshiba America Electronic Components
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1 | Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | TPC8006-H |
0
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Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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