Showing 25 of 1580 results
Filter by Manufacturer
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action |
|---|
| Image | Part Number | D.S | Description | Package Category | Prices / Stock | Model | Action | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2SC3332T-AA
onsemi
|
1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 1-Element, NPN | 2SC3332T-AA |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SC3303-Y-TP
Micro Commercial Components
|
1 | Small Signal Bipolar Transistor | 2SC3303-Y-TP |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SC3327-B
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | 2SC3327-B |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SC3360N17-T2B-A
Renesas Electronics Corporation
|
1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | 2SC3360N17-T2B-A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SC3356
Shenzhen Heketai Electronics Co Ltd
|
1 | NPN bipolar transistor in SOT-323 package with 20 V collector-base voltage, 12 V collector-emitter voltage, 100 mA collector current, high power gain, low noise, and 7 GHz transition frequency, suitable for UHF/VHF/CATV amplifier applications. | 2SC3356 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SC3320L-D-T3P-T
Unisonic Technologies Co Ltd
|
1 | Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2SC3320L-D-T3P-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SC3356
JCET Group
|
1 | NPN transistor in SOT-23 package with 12 V collector-emitter voltage, 100 mA collector current, 200 mW power dissipation, high gain, low noise, and 7 GHz transition frequency. | 2SC3356 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SC3357-RF-A
NEC Electronics Group
|
1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN | 2SC3357-RF-A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SC3326TE85R
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236 | 2SC3326TE85R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SC3333
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 | 2SC3333 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SC3360-LN15-A
Renesas Electronics Corporation
|
1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon | 2SC3360-LN15-A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SC3359/QR
ROHM Semiconductor
|
1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 | 2SC3359/QR |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SC3356-R26
NEC Compound Semiconductor Devices Ltd
|
1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN | 2SC3356-R26 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SC3382-AQ
SANYO Electric Co Ltd
|
1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 | 2SC3382-AQ |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SC3357-RH-A
NEC Electronics Group
|
1 | RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN | 2SC3357-RH-A |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SC3357-T1
Renesas Electronics Corporation
|
1 | RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN | 2SC3357-T1 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SC3360-T2BN17
NEC Electronics America Inc
|
1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC, SC-59, 3 PIN | 2SC3360-T2BN17 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SC3356Q
Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd
|
1 | Transistor | 2SC3356Q |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SC3328-Y(TE6,F,M)
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | 2SC3328-Y(TE6,F,M) |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SC3383U
onsemi
|
1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1-Element, NPN | 2SC3383U |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SC3336
Renesas Electronics Corporation
|
1 | Power Bipolar Transistor, 15A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin | 2SC3336 |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SC3383R
SANYO Electric Co Ltd
|
1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | 2SC3383R |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SC3393S
onsemi
|
1 | 500mA, 50V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SPA, 3 PIN | 2SC3393S |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SC3324-GR(T5LKEHF
Toshiba America Electronic Components
|
1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | 2SC3324-GR(T5LKEHF |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
2SC3393-T
SANYO Electric Co Ltd
|
1 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SPA, 3 PIN | 2SC3393-T |
0
|
Build or Request | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||